针对Micro-LED器件微型化带来的尺寸效应、高速巨量转移、发光器件与驱动背板的高精度键合等问题，本文通过金属有机化学气相沉积和原子层沉积技术制备了一种垂直结构的交流驱动无电学接触型GaN基Micro-LED器件，研究了其光电特性。结果表明，器件电路模型可等效为RC电路，随着交流驱动信号频率的增大，器件等效阻抗先快速减小后趋于稳定。当频率固定时，器件I-V特性呈线性关系，器件等效阻抗稳定，器件亮度随着驱动电压增大而增强。当驱动电压固定时，器件在16~22 MHz频率范围内达到最大亮度，且亮度随频率增加呈现先上升后下降趋势；此外，由于回路呈电容特性，无电学接触型Micro-LED器件存在发光延迟效应和电流超前效应。对比传统Micro-LED器件，无电学接触型Micro-LED器件与外部电极无电学接触，在交流驱动条件下实现内部载流子复合发光，有望解决Micro-LED芯片微型化带来的技术难题。

针对传统Micro?LED芯片巨量转移与键合、发光芯片与驱动电极高质量接触等技术难题，本文采用金属有机化合物化学气相沉积和原子层沉积工艺制备无电学接触型氮化镓基Micro?LED器件，研究了器件的伏安特性、亮度?频率特性、发光延迟特性及阻抗?频率特性等光电特性，并分析了器件工作机理。实验结果表明，交流驱动的无电学接触型Micro?LED器件的电流随着频率的增大而增大，且I?V特性呈线性关系。在20V_pp的驱动信号下，器件亮度随频率的增大先上升后下降，在频率为25 MHz时，器件亮度达到最大，且发光峰值滞后于电流峰值，说明器件的发光存在延迟。器件的等效阻抗随着频率的增大呈现先减小后趋于稳定的趋势，且器件在频率53 MHz附近出现负电容现象。