华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广东 广州 510631
在考虑半导体量子阱中导带电子对外加激光场非局域光学响应的情况下,利用格林函数方法推导出了光透射率的解析表达式,并以典型的GaAs／AlGaAs为材料的Poschl-Teller量子势阱为例进行数值计算。计算结果表明,由于电子对激光场的非局域光学响应,半导体量子阱的透射光谱的谱线在共振峰附近出现明显地蓝移,蓝移的大小与量子阱宽度有紧密的联系。在有效的纳米尺度范围内,半导体量子阱越宽,透射谱线的蓝移也就越大。另外,光场强度和量子阱结构参数等因素对透射光谱的影响也被澄清。
Poschl-Teller势阱 非局域光学响应 透射谱 Poschl-Teller quantum well nonlocal optical response transmission spectrum
1 成都信息工程学院光电技术系
2 四川
3 成都
4 610041
采用在点正则变换下形状不变势的映射方法,给出了将Poschl-TellerⅠ势映射至Poschl-Teller Ⅱ势的点正则变换,并从Poschl-TellerI势的束缚态能级和波函数求得了Poschl-TellerⅡ势的束缚态能级和波函数.
形状不变势 Poschl-Teller Ⅰ势 Poschl-Teller Ⅱ势 点正则变换CLC Shape invariant potential PT-Ⅰ potential PT-Ⅱ potential Point canonical transformation 原子与分子物理学报
2003, 20(2): 226
1 佛山科学技术学院理学院物理系,佛山,528000
2 广州大学理学院物理系,广州,510405
二阶非线性光学效应是非线性光学中人们发现最早,研究最多,应用最广的一个课题.在非对称性势阱中,二次谐波产生系数与势阱的形状及其非对称性程度有很大的关系.本文用量子力学中密度矩阵算符理论导出了P(o)schl-Teller势阱中二次谐波产生系数和解析表达式.考虑到在P(o)schl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,并且势阱的形状与对称性随κ和λ取值的不同而明显不同,因此我们可以通过调节κ和λ的取值而获得P(o)schl-Teller势阱中的二次谐波产生系数的变化规律,并找到其最大值,从而为实验提供必要的研究方向与理论依据.
P(o)schl-Teller 势阱 非线性光学效应 二次谐波产生 Poschl-teller well nonlinear optics effects second-harmonic generation
成都信息工程学院光电技术系,四川,成都,610041
利用在点正则变换下形状不变势的映射方法,找出了该问题需要的点正则变换,建立了双原子分子的广义Hulthén势和Pschl-Teller
Ⅰ势之间的关系,并由Pschl-Teller Ⅰ势的束缚态能级和波函数,方便地求得了广义Hulthén势的束缚态能级和波函数.
形状不变势 广义Hulthén Poschl-Teller Ⅰ势 Shape-invariant potential Generalized Hulthén potential Poischl-Teller Ⅰ potential Point canonical transformation 原子与分子物理学报
2002, 19(3): 283
