广州大学 物理与电子工程学院, 广东 广州510006
侧入式背光板能有效地减少显示背光模组的厚度和背光所需的LED光源数目, 为获得均匀照度的侧入背光模组, 介绍一种圆环侧入式导光板结构。推导导光板中网点的设计规律, 得到圆环侧入式导光板的网点大小的分布函数。利用VBA语言编程在CAD中生成网点分布, 结合软件模拟分析, 验证了导光板显示区域中光照亮度均匀性达到90％以上, 满足了侧入式背光模组中圆环形导光板工程设计上的要求。
导光板 散射网点 LED LED LGP scattering netted dots
1 仲恺农业工程学院信息学院, 广东 广州 510225
2 广州大学物理与电子工程学院, 广东 广州 510006
运用分数维空间方法理论研究了GaAs/AlGaAs无限深和有限深方形量子阱中激子效应对 三次谐波产生的影响。利用分数维空间模型获得波函数和束缚能级为空间维度的函数，而空间维度数是阱宽的函数。无限深方阱的维度数随着 阱宽的减小从三维极限过渡到二维;而在有限深阱中，当维度数达到一个极值后，维度数随阱宽的减小而增大。采用密度矩阵和迭代法导出三次 谐波的表达式。数值结果表明，考虑激子效应的三次谐波系数比只考虑电子状态的系数增大40%左右，并且三次谐波系数大小依赖于激子的受限 程度。结果还表明在弛豫率较小情况下可以获得较大的三次谐波系数。
非线性光学 三次谐波 分数维空间 激子效应 量子阱 nonlinear optics third-harmonic generation fractional-dimensional space exciton effects quantum wells
1 仲恺农业工程学院信息学院, 广东 广州 510225
2 广州大学物理与电子工程学院 物理系, 广东 广州 510006
从理论上研究了电子-声子相互作用对Morse势阱中光整流效应的影响。利用微扰论的方法求解在考虑电子-声子相互作用时Morse量子阱的波函数和能级, 采用密度矩阵方法和迭代法得到光整流系数，以典型的GaAs/AlGaAs Morse 势阱为例进行数值计算。数值结果表明在考虑电子-声子相互作用后， 获得的光整流系数比仅考虑电子情况的大15%～30%左右。并且电子-声子相互作用使光整流系数峰值向高能方向偏移。因此要得到比较精确的结果， 有必要考虑电子-声子相互作用的影响。
非线性光学 光整流效应 电子-声子相互作用 Morse势阱 nonlinear optics optical rectification electron-phonon interaction Morse quantum well
1 佛山科学技术学院理学院物理系,广东,佛山,528000
2 广州大学理学院物理系,广州,510405
用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算.研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关.通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数.
非线性光学 双曲线量子阱 密度矩阵方法 光整流效应 Nonlinear optics Hyperbolic quantum wells Density matrix approach Optical rectification coefficient
研究了有限深V型势阱折射率改变，并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次，三次谐波极化率系数．最后，以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算．数值结果表明，减少入射光强度，或增加电子浓度使总折射率改变变大．
有限V型势阱 光折射率 谐波产生 Optical refractive index Finite V-shaped quantum well Harmonic generation
本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应，重点讨论了电子－声子相互作用对其的影响，并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示，随着量子线半径R0的减小，光学克尔效应会逐渐增强；考虑了电子－声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子－声子相互作用时的大20%多；量子线半径R0越小，峰越尖锐，峰值越强；当量子线半径R0大于40nm时，峰会逐渐消失．
光学克尔效应 量子线 电子－声子相互作用 Optical Kerr effect Quantum wires Electron-phonon interaction
1 华南师范大学量子电子学研究所,广东,广州,510631
2 广州大学物理系,广东,广州,510405
主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数.首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算.数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响,从而为实验研究提供理论依据.
非线性光学 非线性光吸收系数 非对称量子阱 密度矩阵方法 nonlinear optics nonlinear optical absorption asymmetric quantum well density matrix method
1 佛山科学技术学院理学院物理系,佛山,528000
2 广州大学理学院物理系,广州,510405
二阶非线性光学效应是非线性光学中人们发现最早,研究最多,应用最广的一个课题.在非对称性势阱中,二次谐波产生系数与势阱的形状及其非对称性程度有很大的关系.本文用量子力学中密度矩阵算符理论导出了P(o)schl-Teller势阱中二次谐波产生系数和解析表达式.考虑到在P(o)schl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,并且势阱的形状与对称性随κ和λ取值的不同而明显不同,因此我们可以通过调节κ和λ的取值而获得P(o)schl-Teller势阱中的二次谐波产生系数的变化规律,并找到其最大值,从而为实验提供必要的研究方向与理论依据.
P(o)schl-Teller 势阱 非线性光学效应 二次谐波产生 Poschl-teller well nonlinear optics effects second-harmonic generation
运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式.最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径.
非线性 密度矩阵 光整流效应 nonlinear density-matrix optical rectification
