中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室, 四川 成都 610209
随着光刻机分辨力节点的提高，纳米级的高精度检焦技术变得愈发重要。针对投影光刻的特点，介绍了一种基于叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法。此方法基于三角法测量原理，通过光弹调制器和横向剪切板的光学调制、平行平板的相位调整，硅片位移的变化会引起调制光强发生正余弦变化。根据光强的正余弦变化，求出焦面位移量。经实验与数据分析，该方法具有纳米级的检焦精度，且具有实时性强、非接触等特点，能满足100 nm 投影光刻中焦面检测的需要。
测量 纳米检焦 相位解析 光弹调制 横向剪切板
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室, 四川 成都 610209
针对投影光刻机短波长、大数值孔径、短焦深的特点，讨论了一种基于光闸叠栅条纹的纳米检焦方法。该方法采用三角测量的基本原理，利用双光栅光闸叠栅条纹的光强调制机理，并结合像横向剪切器和光弹调制的光学特性，建立了单个光栅周期内焦面位移量和输出光能量线性关系。其具有非接触、强实时性和高稳健性的特点，经理论分析和模拟测试，达到纳米量级的检测精度，可以满足投影光刻高精度、实时、非接触焦面测量的要求。
光学测量 焦面检测 叠栅条纹 光弹调制 横向剪切分束器
