1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
2 重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 400000
瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件, 其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中, 圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响, 非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查, 确认异常原因为表面掺杂浓度过高, 并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析, 并通过实验得到验证。
瞬态电压抑制器 表面浓度 掺杂 TVS surface concentration doping
强激光与粒子束
2023, 35(2): 023004
中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术。采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径，实现了一种SiP的ESD保护电路。将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V。SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术，抗ESD能力提升效果显著，缩短了开发周期。该技术兼容原芯片封装尺寸，可广泛应用于SiP类产品开发中。
系统级封装 瞬态抑制二极管 electrostatic discharge (ESD) ESD system in package (SiP) TVS
系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护, 缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果, 对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模, 结合ESD脉冲源的等效电路模型, PCB板的S参数模型, 采用场路协同技术完成了系统级静电放电效应的仿真。针对一个典型的电子系统, 在IEC 61000-4-2 ESD应力作用下, 完成了一款开关芯片防护电路的仿真, 并对电路进行了加工、放电测试, 仿真与测试芯片引脚的电压波形吻合良好, 验证了该仿真方法的有效性。
静电放电 传输线脉冲测试 TVS二极管 spice模型 场路协同仿真 electrostatic discharge TLP TVS diode spice model field-circuit co-simulation 强激光与粒子束
2019, 31(10): 103208
陆军工程大学石家庄校区 静电与电磁防护研究所， 河北 石家庄 050003
无人机交换机芯片易被静电放电(ESD)电磁脉冲损坏，严重影响无人机数据链正常通信。针对此问题，通过搭建人体-金属ESD电路模型并进行仿真分析，发现所选用的TVS防护器件对15 kV等级的ESD防护效果显著。分别对加装TVS防护器件前后的收发信机电路进行了ESD电磁脉冲抗扰度对比试验。试验结果表明，加装防护器件后的电路对ESD电磁脉冲的防护能力最大提升7.4倍。
ESD电磁脉冲 电磁防护 ESD抗扰度 无人机 electrostatic discharge electromagnetic pulse TVS TVS electromagnetic pulse ESD immunity UAV 强激光与粒子束
2018, 30(1): 013209
1 西北核技术研究所, 西安 710024
2 西安交通大学 电子信息学院, 西安 710049
在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中，真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题，以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例，对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段，获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线，结合数值计算，推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数，结合数值计算的结果，建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真，计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对，计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外，也为其他器件物理模型的建立提供了参考，可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
TVS二极管 半导体建模 数值模拟 参数提取 TVS diode semiconductor modeling numerical simulation parameter extraction 强激光与粒子束
2016, 28(3): 033202
在LCD-TV中通过采用扫描背光源和在数据帧中插入黑色帧的方法,可以显著改善对比度和运动模糊现象.
动态图像 光学补偿弯曲排列 LCD-TVs
