瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件, 其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中, 圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响, 非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查, 确认异常原因为表面掺杂浓度过高, 并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析, 并通过实验得到验证。

为评估高空核电磁脉冲（HEMP）对某型短波接收天线系统的威胁，对包含浪涌保护器在内的天线前端设备进行HEMP传导注入试验。采用纳秒级快前沿方波源和双指数波电流源，分别测试不同浪涌保护措施的快脉冲响应。结果表明，主要由于天线末端的气体放电管在高过压比下很快动作（1 ns量级）、信号浪涌保护器内瞬态电压抑制器（TVS）限幅、信号传输设备内放大器饱和限幅等多重作用，注入幅度约3.5 kV的快前沿方波、电流峰值1.8 kA的双指数波(20/500 ns)脉冲都能及时泄放，只在传输设备输出端产生一个幅度饱和（<3 V)、持续μs量级的干扰信号。对这一类低工作电压天线系统，利用基于市售浪涌保护器的多重防雷措施能够同时实现对核电磁脉冲传导环境的防护。