采用分振幅双光束干涉法和“二步法”热处理工艺, 在光热敏折变微晶玻璃中制备了周期2.1 μm的透射型体布喇格光栅, 研究了不同曝光剂量与光栅衍射效率和角度选择性之间的关系.当曝光剂量逐渐增至为0.6 J/m2时, 光栅的衍射效率最高达80.02%; 随着曝光剂量的继续增加, 光栅的衍射效率逐渐下降, 并最终保持稳定.当曝光剂量达到1.5 J/cm2及以上时, 光栅对测试光的吸收变化小于5%, 此时光栅的衍射效率趋于稳定.曝光剂量的变化对光栅角度选择性没有明显的影响.分析结果表明随着曝光剂量增大, 光栅中的含银胶团对532 nm测试光的吸收加剧, 从而使透过的衍射光强减弱, 出现衍射效率降低的现象.

采用光配向技术使PI获得配向能力并制得IPS型LCD, 通过AOI光学自动检测设备以及DMS光学测量系统对在不同PI固烤时间和UV曝光能量下获得样品的预倾角、对比度及穿透率进行了量测, 并研究了各条件下样品的残影(Image Sticking)性能。结果显示: 在900~2 700 s, 400~600 mJ/cm2范围内, 固烤时间和曝光能量对LCD光学性能影响较小, 但对残影性能影响较大, IS随曝光量增大有恶化的趋势, 且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓; 调整固烤时间及曝光能量可以获得较佳的残影性能, 固烤时间1 800 s, 曝光能量400~500 mJ/cm2条件的LCD残影性能较佳。