南京邮电大学电子与光学工程学院&微电子学院, 江苏 南京 210023
选取Si-Na-Zn-Al体系作为玻璃基质,Ce
4+和Ag
+分别作为光敏因子和热敏因子;通过优化紫外曝光剂量与热处理条件,研究了光热敏折变玻璃中Ag
0团簇的析出及其对玻璃透过率、析晶等性能的影响。结果表明:通过控制紫外曝光剂量和热处理条件可以调控Ag
0团簇的结构和NaF晶体的析出;当紫外曝光剂量为4 J/cm
2@315 nm、成核温度为580 ℃、析晶温度为650 ℃时,可以获得均匀的Ag
0团簇及NaF晶体。
材料 光热敏折变 曝光剂量 热处理条件 银团簇 NaF晶体
苏州大学 物理与光电·能源学部, 江苏 苏州 215006
采用分振幅双光束干涉法和“二步法”热处理工艺, 在光热敏折变微晶玻璃中制备了周期2.1 μm的透射型体布喇格光栅, 研究了不同曝光剂量与光栅衍射效率和角度选择性之间的关系.当曝光剂量逐渐增至为0.6 J/m2时, 光栅的衍射效率最高达80.02%; 随着曝光剂量的继续增加, 光栅的衍射效率逐渐下降, 并最终保持稳定.当曝光剂量达到1.5 J/cm2及以上时, 光栅对测试光的吸收变化小于5%, 此时光栅的衍射效率趋于稳定.曝光剂量的变化对光栅角度选择性没有明显的影响.分析结果表明随着曝光剂量增大, 光栅中的含银胶团对532 nm测试光的吸收加剧, 从而使透过的衍射光强减弱, 出现衍射效率降低的现象.
体布喇格光栅 曝光剂量 吸收 衍射效率 角度选择性 Volume Bragg grating UV dosage Absorption Diffraction efficiency Angular selectivity
福州大学 场致发射显示技术教育部工程研究中心, 福州 350002
研究了旋涂和光刻工艺对制备表面传导发射显示器(SED)微细结构的影响,分析正性光刻胶和旋涂工艺的作用机理,探讨光刻胶的平面旋涂工艺、曝光剂量、前烘对光刻图形的影响。借助旋涂技术将光刻胶转移在附有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行曝光,通过视频显微镜、台阶仪对实验结果分析,优化实验工艺参数。结果表明,光刻胶留膜率随旋转速度增大而减少,随光刻胶的粘度增大而增大,光刻图形宽度随曝光剂量的增大而变窄,曝光剂量40～50 mJ／cm2,前烘110 ℃保温25 min条件下光刻图形边缘平整,为研制SED微细结构奠定了基础。
表面传导电子发射显示器 光刻 旋涂 曝光剂量 前烘 SED lithography spin coating exposure dose prebak
1 上海交通大学物理系光学工程研究所, 上海 200240
2 福建师范大学医学光电科学与技术教育部重点实验室, 福建 福州 350007
为了更好地选择临床激光医疗曝光参量,采用有限元数值计算方法,模拟了脉冲激光与连续激光对人皮肤组织的光热作用及导致的温度变化效应,比较了两者的不同,得到了热响应时间及热弛豫时间与组织深度的关系,即组织越深(0～60 μm),其热响应时间(0～4 ms)与热弛豫时间(0.4～12.1 ms)越长; 分析了激光脉宽长短对组织升温的影响; 建立了评价脉冲间热损失的评价函数δ,并以此对脉冲间隔的选取作了探讨。
生物光学 辐射曝光剂量 有限元方法 热弛豫时间 评价函数
1 山东大学,控制学院,电子束研究所,济南,250061
2 山东科技大学,信息与电气工程学院,山东,青岛,266510
3 东营职业学院,山东,东营,257091
为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系.选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符.当剂量在20～35 μC/cm2间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系.采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率.
电子束光刻 曝光剂量 刻蚀深度 反差 吸收能量密度
