画面闪烁(Flicker)是TFT-LCD画面品质评价的重要指标。文章基于ΔVp及闪烁发生机理, 通过一系列实验, 首先研究了Vcom对闪烁的影响, 结果表明Vcom对闪烁具有显著影响; 随着闪烁灰阶升高, 最佳闪烁呈逐渐减小趋势, 常白模式产品最佳闪烁对应Vcom逐渐减小, 而常黑模式产品最佳闪烁对应Vcom逐渐增加。其次, 研究了VGH、VGL对闪烁影响, 结果表明VGH、VGL变化对闪烁均有显著影响; 同一闪烁灰阶, VGH增加不会影响最佳闪烁, 但对应Vcom逐渐减小, 而VGL增加最佳闪烁逐渐减小, 但对应Vcom逐渐增加。最后, 提出一种可以预测不同灰阶闪烁水平的定量分析方法, 通过该方法计算得到的闪烁水平与VESA标准下FMA测试法所得的闪烁值趋势一致, 常白模式和常黑模式产品线性相关系数均达0.95以上, 证明该方法可以用来预测不同灰阶闪烁水平。这些研究对改善TFT-LCD 闪烁问题提供了分析方法和解决思路。

本文研究了一款TFT-LCD HADS产品出现的21.4%横纹不良。通过分析和改善研究表明, 产生横纹的根本原因是Vcom 反馈信号与CLK1、CLK2、CLK3信号产生耦合效应及Vcom补偿电路共同作用下, 导致Vcom在栅压关闭前存在三上三下的周期性波动, 形成三行暗三行亮水平粗纹; 根据原理分析进行不良改善实验验证, 最终通过调整降低Vcom补偿电路倍数, 将该不良降低至0%。

为了解决TFT-LCD的线残像不良，对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术，测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小，并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素，即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容，电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计，可以减小信号线与公共电极间的寄生电容（包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容），降低公共电极电压的耦合程度，改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显，耦合电压分别下降了55%和62%，线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善，有着重要的指导和参考意义。

挠曲电效应（Flexoelectric Effect）是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移（Flicker Shift）的现象。本文从挠曲电效应的产生机理出发,结合试验结果,讨论了灰阶电压大小及灰阶电压对称性对闪烁漂移程度、速率的影响;当闪烁漂移达到稳定后,面板的实际公共电极电压（Vcom）偏移程度变化。结果发现,随着灰阶电压的升高,闪烁漂移程度会随着挠曲电效应的增强而加重,面板内Vcom电压偏移量也随之增加,而改变灰阶电压的对称性可在一定程度上增强或抵消自极化效应带来的Flicker漂移和Vcom电压偏移。利用该结果可一定程度上改善面板的显示特性。

画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷。文章通过一系列的实验, 观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系, 并给出了机理解释。Vgs的变化产生ΔVp, 导致Vcom的漂移, 形成闪烁, 但如果Vcom的均匀性较好, 这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除。Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同, 引起Vcom进一步的漂移和闪烁。通过降低Photo-Ioff和提高Vgl, 可以改善闪烁现象。

介绍了A1LM9处理器S3C2440 LCD控制器的应用，TFT-LCM 外围电路的设计及S3C2440 LCD控制器与TFT-LCM 之间的硬件电路搭建和软件设计要点。