1 电子科技大学应用物理系,四川,成都,610054
2 四川大学物理系,四川,成都,610065
3 美国密西根大学核工程与放射科学系,安娜堡,MI,48109
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和 g⊥=1.869、对称轴为［111］的六配位Zr3+顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe 离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变，但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此，EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下，Cs离子辐照比Xe 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe 离子却是惰性的.
YSZ单晶 离子辐照 辐照缺陷 电子顺磁共振谱 透射电子显微镜 YSZ single crystal Ion irradiation Irradiation defects Electron paramagnetic resonance TEM 强激光与粒子束
2005, 17(12): 1909
