作者单位
摘要
1 电子科技大学,应用物理系,成都,610054
2 四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064
在Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75 keV的He离子,注入剂量分别为5×1016 cm-2,1×1017 cm-2.通过显微硬度测量和剖面电子显微观察,研究了He离子对Ti-2Al-2.5Zr合金力学性能和显微组织的影响.结果表明:样品的显微硬度随He离子注量的增加而升高,在温度为350和550 ℃的Ar气中退火后硬度有所下降.剖面电子显微观察发现有位错环和He气泡生成,退火后He气泡有长大、缺陷有回复的趋势.辐照产生的位错环是辐照后硬度升高的直接原因,其退火发生回复又引起硬度随退火温度的升高而降低.
Ti-2Al-2.5Zr合金 离子注入 透射电镜 显微硬度 
强激光与粒子束
2006, 18(7): 1208
作者单位
摘要
1 电子科技大学应用物理系,四川,成都,610054
2 四川大学物理系,四川,成都,610065
3 美国密西根大学核工程与放射科学系,安娜堡,MI,48109
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和 g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe 离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe 离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe 离子却是惰性的.
YSZ单晶 离子辐照 辐照缺陷 电子顺磁共振谱 透射电子显微镜 YSZ single crystal Ion irradiation Irradiation defects Electron paramagnetic resonance TEM 
强激光与粒子束
2005, 17(12): 1909
作者单位
摘要
1 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054
2 四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064
3 中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900
TiNiCu记忆合金在美国Argonne国家实验室IVEM-Tandem National Facility加速器产生的400keV Xe+离子辐照到0.4dpa时发生非晶化转变.通过电子显微镜研究了非晶化的TiNiCu合金的回复和再结晶过程.退火加热的速度是10℃/min.在280℃时非晶环附近出现电子衍射斑点以及明场像中出现少量析出相,表明回复和再结晶开始.退火到550℃出现多晶环,650℃时有片状马氏体变体生成,750℃时有很锐利的多晶环出现,表明再结晶过程基本完成. 经标定再结晶晶粒仍然是TiNiCu记忆合金.再结晶组织与辐照前TiNiCu 合金的显微组织相比有较大差异.
TiNiCu记忆合金 重离子辐照 回复 再结晶 原位电子显微观察 TiNiCu shape memory alloy Heavy ion irradiation Amorphization Recrystallization In situ TEM 
强激光与粒子束
2004, 16(2): 243
作者单位
摘要
四川大学 物理系,教育部辐射物理及技术重点实验室,四川 成都,610064
研究了用HZ-B串列加速器的18MeV质子辐照对TiNi形状记忆合金R相变的影响,辐照在奥氏体母相状态下进行.示差扫描量热法(DSC)表明,辐照后R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度TfA随辐照注量的增加而降低.当注量为1.53×1014/cm2时,TsR和TfA分别下降6K和13K,辐照未引起R相变结束温度TfR和逆马氏体相变开始温度TsA的变化.表明辐照后母相(奥氏体相)稳定.透射电镜(TEM)分析表明辐照后没有引起合金可观察的微观组织变化.辐照对R相变开始温度TsR和逆马氏体相变结束温度Af的影响可能是由于质子辐照后产生了孤立的缺陷团,形成了局部应力场,引起晶格有序度的下降所造成的.
TiNi形状记忆合金 质子辐照 R相变 示差扫描量热法 TiNi shape memory alloy R-phase transformation Proton irradiation DSC TEM TEM 
强激光与粒子束
2003, 15(1): 97

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