上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
利用电子束蒸发在硅基底材料上沉积氟化镱(YbF3)薄膜,并对不同沉积温度所得薄膜进行了研究。研究结果表明,在反可见透红外波段上,沉积温度对于YbF3薄膜的物理和光学特性有较大影响。当沉积温度为150 ℃和180 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜的光学性能和可靠性较差;当沉积温度为220 ℃和240 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜具有良好的光学性能和可靠性,能适用于不同要求的薄膜产品研制。
氟化镱薄膜 电子束蒸发 反可见透红外波段 硅基底 沉积温度 YbF3 films electron beam evaporation in the opposite visible through infrared silicon substrate deposition temperature
1 北京工业大学 材料科学与工程学院， 北京100124
2 南京航空航天大学 理学院， 江苏 南京210016
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上成功制备了具有上下转换的Er∶YbF3转光薄膜。研究发现，所制备的Er∶YbF3转光薄膜实现了上下转换两种机制的结合，能有效地把紫外光和红外光转换到非晶硅太阳能电池最佳响应范围内的656 nm处。进一步分析了衬底温度对薄膜相结构及光学性能影响的物理机制。当衬底温度高于500 ℃时，薄膜会随着温度的升高而结晶性变强，但有杂相生成。研究结果表明，Er∶YbF3转光薄膜的光学性能在衬底温度为500 ℃时最佳，有望应用到非晶硅太阳能电池上使其光电效率提高。
太阳能电池 上转换 下转换 Er∶YbF3薄膜 衬底温度 solar cells up-conversion down-conversion Er∶YbF3 films substrate temperature
