上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
利用电子束蒸发在硅基底材料上沉积氟化镱(YbF3)薄膜,并对不同沉积温度所得薄膜进行了研究。研究结果表明,在反可见透红外波段上,沉积温度对于YbF3薄膜的物理和光学特性有较大影响。当沉积温度为150 ℃和180 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜的光学性能和可靠性较差;当沉积温度为220 ℃和240 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜具有良好的光学性能和可靠性,能适用于不同要求的薄膜产品研制。
氟化镱薄膜 电子束蒸发 反可见透红外波段 硅基底 沉积温度 YbF3 films electron beam evaporation in the opposite visible through infrared silicon substrate deposition temperature
