非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点，但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明，随着退火温度的升高，a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加，这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外，a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200 ℃下退火达到最佳，我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。
非晶铟钨氧 薄膜晶体管 退火温度 氧空位 表面粗糙度 amorphous indium tungsten oxide thin film transistors annealing temperature oxygen vacancies roughness
