作者单位
摘要
江南大学 机械工程学院, 江苏 无锡 214122
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法, 以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标, 选取最适合硒化锌抛光的磨料, 通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3 三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得最高的材料去除率, 为615.19nm/min, 而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律, 表明100nm Al2O3抛光后的表面质量最佳, 粗糙度Ra仅为2.51nm, 300nm Al2O3的去除速率最大, 达到1256.5nm/min, 但表面存在严重缺陷, 出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下, 与传统化学机械抛光相比, 精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近, 但所用抛光液量约为传统抛光的1/8, 大大提高了抛光液的利用率。
硒化锌 雾化施液 化学机械抛光 磨料 去除速率 表面粗糙度 zinc selenide atomization slurry chemical mechanical polishing abrasive removal rate surface roughness 
半导体光电
2018, 39(6): 815

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!