中国电子科技集团公司第四十三研究所微系统安徽省重点实验室, 安徽 合肥 230088
半导体单光子雪崩二极管可实现微弱信号的探测, 在量子通讯、激光雷达和大气探测等领域具有重要应用。虽然半导体单光子雪崩二极管的性能主要取决于探测芯片设计、流片工艺和外围匹配电路的设计, 但后续的封装技术对其探测性能也有重要的影响。聚焦多年来半导体单光子雪崩二极管的封装发展, 简要介绍了相应封装形式和技术, 以及封装对于雪崩二极管性能的影响, 最后对半导体单光子雪崩二极管的封装发展前景做出了展望。
半导体单光子雪崩光电二极管 封装技术 暗计数 探测效率 热管理技术 光路耦合技术 semiconductor single-photon avalanche photodiodes packaging technology dark countings detection efficiency thermal management technology optical coupling technology
北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室,北京 100876
光通信系统不断提升的传输速率对光电探测器的带宽提出了更高的要求。利用有限元分析软件APSYS对p区倒置型雪崩光电探测器(APD)进行设计与优化。结果表明,双台面p区倒置型 APD可将电场限制在中心区域,避免器件发生边缘击穿,器件的暗电流约为0.1 nA,最大带宽为23 GHz,增益带宽积为276 GHz。在此结构上,对双台面p区倒置型 APD的台面及层结构参数进行优化,得到最大带宽为31.7 GHz,增益带宽积为289.4 GHz的三台面p区倒置型 APD。
光通信 光电探测器 p区倒置型雪崩光电探测器 台面结构 增益带宽积 中国激光
2022, 49(13): 1306002
1 云南大学物理与天文学院,云南昆明 650091
2 云南大学量子信息重点实验室,云南昆明 650091
3 昆明理工大学理学院,云南昆明 650093
雪崩光电二极管(APD)因为其高灵敏度和高增益带宽的优势已被广泛应用在高比特率、远程光纤通信系统中,而雪崩过程中产生的过剩噪声直接影响到 APD的信噪比,因此,研究过剩噪声对 APD性能的提升具有重要意义。目前,国内外测试雪崩光电二极管过剩噪声的方法主要有直接功率测量法和相敏探测法,本文对这两种测试方法和其优缺点进行了分析,并介绍了最新的改进测试思路。同时,还总结了降低过剩噪声的 3种方法: 选择低碰撞电离系数比的材料,降低倍增层厚度和采用 APD碰撞电离工程来降低噪声。
雪崩光电二极管 过剩噪声因子 相敏探测法 碰撞电离工程 avalanche photodiodes, excess noise factor, phase-
重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院 微电子系, 重庆 400065
采用标准的0.18μm CMOS工艺, 设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD, 该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱, 再在其上分别离子注入一层n+/p+层作为器件的雪崩击穿层, 并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿。仿真结果表明, 器件的雪崩击穿电压为9.9V, 暗电流为1×10-12A, 3dB带宽为5.9GHz, 响应度为1.2A/W。由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计, 器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了2个量级, 且带宽提高了约10%。
雪崩光电二极管 可见光通信 pn结 STI保护环 带宽 响应度 avalanche photodiodes visible light communication CMOS CMOS pn junction STI guard ring bandwidth responsivity
1 云南大学物理与天文学院, 云南 昆明 650091
2 云南大学云南省量子信息重点实验室, 云南 昆明 650091
3 96901部队24分队, 北京, 100094
InP/InGaAs 单光子探测器经过近40年的发展,其主要性能指标探测效率达到了60%,暗计数率在20 kHz以内(-20 ℃温度下),时间抖动、后脉冲以及光子计数率也在进一步提高,目前已经获得百ps以内的时间抖动,后脉冲概率1%~5%,光子计数率达到GHz。进一步的性能提升需要考虑具有更小离化系数比和过剩噪声的材料系统,以及具有多增益放大并能对雪崩增益进行控制和调节的器件,在减小后脉冲的同时维持一定的器件增益;波长进一步扩展,以提供更多的波长选择;芯片内部集成自淬灭以简化电路,同时实现自由运行单光子探测,并易于集成到盖革模式单光子焦平面阵列。本文对常规SAGCM(分离吸收、缓变、电荷层、倍增结构)的InP/InGaAs单光子探测器的最新发展,以及基于该技术发展的新器件技术进行了报道和介绍。
探测器 单光子探测器 InP基雪崩光电二极管 短波红外 阵列 激光与光电子学进展
2021, 58(10): 1011009
Author Affiliations
Abstract
State Key Laboratory of Precision Spectroscopy, East China Normal University, Shanghai 200241, China
We report a method to reduce the detection delay temperature drift for a single-photon detector based on the avalanche photodiode (SPAD). Both the SPAD and the comparator were temperature stabilized, resulting in an ultra-low temperature drift at 0.01 ps/°C. A stable time deviation as 0.15 ps over 1000 s was realized, while the ambient temperature fluctuated rapidly from 24°C to 44°C. To the best of our knowledge, this is the first report on the ultra-stable delay SPAD detector in the case of rapid increase or decrease of ambient temperature. It is helpful to improve the stability of onboard detectors for optical laser time transfer between ground and space.
avalanche photodiodes laser ranging single-photon detection stability temperature dependence Chinese Optics Letters
2021, 19(8): 082502
1 西南技术物理研究所, 成都 610041
2 中国兵器科学研究院,北京 100089
3 电子科技大学 基础与前沿研究院, 成都 610054
基于锑化物Ⅱ类超晶格结构的中远红外探测器, 由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了锑化物Ⅱ类超晶格中远红外探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的应用情况, 介绍了其在中远红外雪崩光电探测器领域的研究现状。锑化物Ⅱ类超晶格探测器的部分性能指标已接近、甚至超过了碲镉汞探测器, 并在部分红外装备上得到了应用。而基于锑化物Ⅱ类超晶格的雪崩光电探测器件在中远红外弱光探测领域尚处于起步阶段, 与碲镉汞探测器相比还有很大差距, 但同时也呈现出了巨大的发展潜力。
探测器, 锑化物, Ⅱ类超晶格, 中远红外, 雪崩光电探测 detectors antimonide type-Ⅱ superlattice mid- and long-infrared avalanche photodiodes