1 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心，四川 成都 610200
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621900
3 电子科技大学 电子科学与工程学院，四川 成都 611731
研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率，且其工作带宽超过13.6%。另外，采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器。该功率合成式倍频器在两只127 μm 厚的 ALN 基片上焊接了四个分立的肖特基二极管。在800 mW的驱动功率下，两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率，证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率。
110 GHz 平衡式二倍频 肖特基 功率合成 110GHz balanced doubler Schottky power-combined
1 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心，四川 成都 610200
2 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川 绵阳 621900
在分离式二极管的基础上，实现了220 GHz高效率的二倍频器结构.该倍频器的电路在450 μm宽，2.7 mm长的50 μm石英基片上实现.测试结果表明，在室温下当驱动功率在46.4~164 mW时，在214~226 GHz的频段内能够实现大于16%的倍频效率.另外，当驱动功率在161 mW时，倍频器在218 GHz频点能够输出最高功率32 mW，并且在多个频点拥有高于20%的倍频效率.实验证明，所实现的二倍频器能够作为660 GHz倍频链路的驱动前级使用.
平衡式二倍频 肖特基二极管 模型 220 GHz 220 GHz balanced doubler Schottky model 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04426
1 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心，四川 成都 610200
2 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川 绵阳 621900
高频段的太赫兹信号通常是由多个倍频器级联输出的，因此要求倍频链路的前级必须具备高输出功率的能力。为了提升太赫兹倍频器的功率容量和效率，结合高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法，采用高热导率的陶瓷基片，利用对称边界条件，在HFSS和ADS中实现对倍频器电路的分析和优化，研制出了高功率110 GHz平衡式倍频器。最终测试结果表明，驱动功率为28 dBm左右时，该倍频器在102~114.2 GHz的工作带宽内的最高输出功率和效率分别为108 mW和17.6%，为链路后续的二倍频和三倍频提供足够的驱动功率。
高功率 肖特基二极管 平衡式倍频器 high power 110 GHz 110 GHz Schottky diode balanced doubler 红外与激光工程
2019, 48(9): 0919002
