作者单位
摘要
无锡华润上华科技有限公司, 江苏 无锡 214061
提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应,提升器件的耐压性能;同时,器件正向导通状态下,对电流的传输路径也没有形成阻碍,能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明,在漂移区长度均为65 μm的情况下,SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3 Ω·mm2。
P型埋层 击穿电压 比导通电阻 P buried layer LDMOS LDMOS breakdown voltage specific on-resistance 
微电子学
2023, 53(1): 134
作者单位
摘要
南京邮电大学 有机电子与信息显示国家重点实验室&先进材料研究院,江苏 南京 210023
采用有机小分子钝化钙钛矿下表面(埋底界面)可以有效抑制钙钛矿埋底界面缺陷形成,降低载流子复合几率。本工作通过预先沉积钝化分子苯乙胺(PEA)的方法来钝化钙钛矿埋底界面。钝化后的钙钛矿晶粒大小与表面形貌无明显变化,吸收边和发光波长稍有红移,最高分子占据轨道能级略有提高。“Pb”元素结合能向高能级移动,而“N”元素结合能向低能级移动,并且钙钛矿中PbI2的残留量明显减少,表明钝化分子PEA通过“N”原子与钙钛矿下表面悬挂的“Pb”以及残留PbI2相互作用。基于PEA钝化的钙钛矿电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和转换效率分别从1.041 V、21.29 mA/cm2、74.09%和16.41%提高到1.102 V、22.44 mA/cm2、79.28%和19.6%。器件性能的显著提高主要由于载流子的复合降低,归因于:(1)PEA钝化未饱和配位“Pb”引起的缺陷;(2)PEA钝化卤化铅微晶组成的复杂相引起的缺陷;(3)钙钛矿与空穴传输层之间的电荷转移速率的提高。钝化的钙钛矿电池器件稳定性明显增强。这种简便、有效的埋底界面钝化策略可以应用于未来大面积钙钛矿太阳能电池的制备。
能量传递钙钛矿 埋底界面 苯乙胺 钝化 太阳能电池 perovskite buried interface phenethylamine passivation solar cells 
发光学报
2023, 44(9): 1636
作者单位
摘要
1 太原理工大学电气与动力工程学院,太原 030000
2 武汉光迅科技股份有限公司,武汉 430074
3 太原理工大学信息与计算机学院,太原 030000
针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1 310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激光通信的基本要求。
电吸收调制激光器 台面结构 掺铁掩埋技术 调制带宽 远场发散角 electro-absorption modulated laser mesa structure iron-doped buried technology modulation bandwidth far-field divergence angle 
光通信研究
2023, 49(2): 69
作者单位
摘要
1 浙江省隧道工程集团有限公司, 杭州 310030
2 中国地质大学(武汉), 武汉 430074
浅埋输水隧洞在地质条件复杂、下穿众多重要建筑物的情况下进行爆破作业时爆破振动极易对地表建筑物造成破坏, 控制爆破是在保证工程效率的前提下减少对既有建筑物影响的关键技术难点。以输水隧洞下穿公路(经寿山禅寺、寿峰寺段)工程为研究对象, 采用数值模拟及现场振动监测研究爆破开挖施工下对地表古建筑物的影响及振动衰减特征。结果表明:基于数值模拟的振动效应地震波在介质中传递时, 由于塑性区单元的作用, 振速随着时间推移及爆心距的增加而不断衰减, 且由于入射纵波与竖直方向的夹角及爆心距的共同作用导致垂直方向的振速最大; 寿山禅寺和寿峰寺振速峰值模拟误差分别为3.7%、2.3%结果较吻合, 保证了既有建筑物的安全; 监测结果可知, 由于岩体阻尼较大对信号具有一定的选择吸收作用, 信号在岩体中传递的过程产生能量损耗, 振速不断衰减, 模拟结果与监测结果振速衰减规律一致; 另外采用线性拟合得出了精度较高的萨氏地震波衰减公式, 表明了数值模拟方法对提前预测振动效应具有可行性, 结论为后续爆破施工方案设计提供参考借鉴。
浅埋隧洞 下穿 数值模拟 控制爆破 shallow buried tunnel tunneling under existing building numerical analysis controlled blasting 
爆破
2022, 39(4): 0171
作者单位
摘要
1 甘肃省特种设备检验检测研究院,兰州 730050
2 兰州理工大学 石油化工学院,兰州 730050
3 中国石油大学(北京) 机械与储运工程学院,北京 102249
城市地下空间掘进爆破过程中冲击载荷对爆源近区的埋地输气管道的影响作为工程施工中的主要安全问题已被广泛关注。以某一具体施工案例为背景,采用动力有限元软件LS-DYNA建立了土体-管道-岩石流固耦合模型。对δ=0.02 m、0.04 m、0.06 m、0.08 m的4种不同壁厚条件下管道的迎-背爆面有效应力和振动合速度分布规律进行了分析;同时基于管土耦合模型,进一步研究了爆破振动速度峰值由爆源传至管道迎爆面、背爆面和地表三个关键位置时的衰减情况。结果表明:随着管道壁厚的增加,管壁质点的有效应力、振动合速度都呈现出非线性衰减规律,管道背爆面局部应力峰值数值明显高于迎爆面,而迎爆面振动合速度明显高于背爆面。当管壁厚度增量为Δδ=0.02 m时,迎爆面和背爆面有效应力峰值衰减率分别为κ1=25.2%、19.2%、10.7%和κ2=50%、25%、13.3%。4种不同壁厚条件下迎-背爆面和背爆面-地表质点峰值振动速度平均衰减率分别为η1=24.6%、18.96%、15.04%、14.78%和η2=73.46%、69.4%、66.52%、63.6%,而衰减系数α的变化明显小于衰减率。故对于存在管道的这种非均匀地质条件振动速度预测采用萨道夫斯基公式已不再准确,需要对该公式进行修正使用。
地下空间 掘进爆破 埋地管道 动力响应 underground space excavation blasting buried pipeline dynamic response 
爆破
2022, 39(3): 0190
作者单位
摘要
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
提出了一种基于掩埋金属掩膜的表面光栅分布反馈半导体激光器制备工艺,该工艺方案可以减小器件工艺对光栅结构的影响,无需额外增加光栅保护工艺。在半导体外延片表面预先制作Ni-Au金属层,形成光栅的硬掩膜;完成波导和钝化层工艺后,去除波导结构表面的钝化层形成电极注入窗口的同时,露出掩埋的Ni-Au金属掩膜;在掩埋Ni-Au金属掩膜和钝化层的共同阻挡作用下,进行干法刻蚀工艺,在脊波导表面形成光栅结构。采用该工艺方案制备了光栅周期为10 μm的高阶表面光栅DFB半导体激光器件。实验结果表明,与光刻胶作为表面光栅刻蚀掩膜的工艺相比,掩埋金属掩膜工艺方案保证了表面光栅的形貌,使光栅内的折射率具有更好的周期性分布,器件的单纵模半高全宽由0.56 nm降至0.23 nm,且在输入电流为1 A的情况下可以获得242 mW的输出功率。该工艺有效改善光栅的形貌,提升器件的光谱特性。
表面光栅 掩埋金属 掩膜 窄线宽 光谱 光栅形貌 远场光斑 Surface gratings Buried metal Mask Narrow linewidth Spectrum Grating morphology Far field spot 
光子学报
2022, 51(9): 0914005
作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610054
2 四川上特科技有限公司, 四川 遂宁 629299
3 四川蓝彩电子科技有限公司, 四川 遂宁 629000
4 四川遂宁市利普芯微电子有限公司, 四川 遂宁 629299
对于工作电压为5 V的集成电路, 低压触发可控硅(LVTSCR)的触发电压已能满足ESD保护要求, 但其较低的维持电压会导致严重的闩锁效应。为解决闩锁问题, 对传统LVTSCR进行了改进, 通过在N阱下方增加一个N型重掺杂埋层, 使器件触发后的电流流通路径发生改变, 降低了衬底内积累的空穴数量, 从而抑制了LVTSCR的电导调制效应, 增加了维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明, 在不增加额外面积的条件下, 改进的LVTSCR将维持电压从2.44 V提高到5.57 V, 能够避免5 V工作电压集成电路闩锁效应的发生。
低压触发可控硅 静电放电 高维持电压 埋层 LVTSCR ESD high holding voltage buried layer 
微电子学
2022, 52(1): 87
作者单位
摘要
兰州理工大学 石油化工学院,兰州 730050
为研究爆破载荷作用下临近埋地管道的安全性,利用ANSYS/LS-DYNA建立炸药、岩土体、埋地管道的管土耦合模型,对爆破荷载下埋地管道的动力响应进行研究。通过监测管道迎爆面-背爆面特定单元的应力和速度时程曲线,发现距管道两端1/4处的迎爆面存在应力集中现象,背爆面有局部应力放大效应,10~21 ms时管道轴向振动速度最大; 通过改变管道的壁厚(4 mm、6 mm、9 mm),得到管道迎-背爆面的轴向有效应力、速度和管道环向振动波能量均随管道壁厚的增加而减小,当管道厚径比i<0.0525时,炸药能的衰减最快,0.0525≤i≤0.05375时,衰减指标η、β、κ数值均为26.7%,且i≥0.06时管道环向监测单元各项衰减指标规律变化趋于一致。
爆破载荷 埋地管道 动力响应 振动能量衰减 blast loads buried pipelines dynamic response vibration energy attenuation 
爆破
2021, 38(1): 41
常高垒 1,2,*朱欢 1俞辰韧 1,2朱海卿 1,2[ ... ]何力 1
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件院重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京100049
结合理论和实验研究了掩埋光栅一级分布反馈太赫兹量子级联激光器中的模式竞争和功率特性。理论计算得到掩埋光栅腐蚀深度与两个带边模式的波导损耗、光学限制因子、辐射损耗以及辐射效率的关系。理论计算表明,掩埋光栅分布反馈结构可以通过改变腐蚀深度,保证激光器稳定单模工作在高频带边模式的同时,调节激光器的阈值增益以及辐射效率。实验和测试结果表明,激光器辐射波长和掩埋光栅的周期成正比,激光器可以在整个动力学范围内稳定单模工作。单模激光器的波长范围可覆盖86.2~91.7 μm的范围,边模抑制比可达25 dB,最大输出功率为9.1 mW。该工作有助于高性能单模太赫兹激光器及锁相耦合激光器阵列的研制。
激光器 太赫兹 量子级联激光器 掩埋光栅 分布反馈 模式竞争 
光学学报
2021, 41(2): 0214001
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094
对于隐蔽目标的探测, 雷达技术是常用的手段, 现已发展出探地雷达、穿墙雷达等技术。毫米波具有一定的穿透能力且可以成像, 毫米波辐射计可全天候、全天时工作, 且系统相对体积小、成本低、使用方便, 因而受到越来越多的关注。对于浅埋的金属目标, 提出利用其毫米波辐射成像进行探测, 并利用区域生长法提取图像中的单个感兴趣目标, 依据其辐射温度加权计算目标中心。实验研究表明, 利用该方法处理可探测到浅埋的金属目标, 并提取出感兴趣的单个目标及其特征, 以作为进一步应用的参考。
毫米波 辐射成像 浅埋目标 金属目标探测 区域生长法 millimeter wave radiometric imaging shallow-buried target metal object detection region growing method 
电光与控制
2020, 27(1): 94

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