厦门乾照光电股份有限公司, 福建 厦门 361101
对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现, 采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量, 从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻。此外, 采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心, 从而提高850nm红外发光二极管的亮度和寿命。
多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延 multi-step variable growth rate method current-spreading layer LED MOVPE
LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力, 优化电极结构, 能够缓解电流拥挤现象。讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型, 并通过SimuLED软件研究了电极结构对LED电流扩展能力的影响。仿真结果表明: 采用插指型电极结构极大提高了正装LED的电流扩展能力, 电极下方插入电流阻挡层(CBL)后改变了芯片的电流分布状况, 有利于光效的提升; 而倒装LED的通孔式双层金属电极结构利用两层金属的互联作用, 使n电极能够在整个芯片范围内均匀分布, 进一步提高了电流扩展性能。
发光二极管 电极结构 电流扩展 通孔式电极 电流分布模型 light emitting diodes electrode structure current spreading via-hole based electrode current distribution models
北京工业大学 电子信息与控制工程学院, 北京 100124
通过对AlGaInP LED器件进行电流分布模拟, 得出电流扩展长度与注入电流和电流扩展层方块电阻之间的变化关系。实验制备出带有Au纳米颗粒的碳纳米管(Au-CNT)作为电流扩展层的LED器件, 20mA电流下, 测得其光功率比无扩展层器件提升了33%。模拟结果与实验结果具有较好的一致性, 说明带有Au纳米颗粒的碳纳米管透明导电层可以起到增强电流扩展作用, 有效提高器件光功率。
Au纳米颗粒 碳纳米管 电流扩展 Au nanoparticles CNT LED LED current spreading
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室, 长春 130033
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算, 发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后, 优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布, 抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm, 制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°, 优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后, 器件输出功率达到2.01W, 激射波长为982.6nm.
垂直腔面发射激光器 高功率 电流分布 远场分布 vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) high power current spreading far-field distribution
1 浙江大学信息电子工程系, 杭州 310027
2 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
用连续波电光检测法测量了激光器列阵发光区电场分布，并对其注入电流扩展作了模拟讨论。
注入电流 激光器列阵 连续波电光检测
