1 南昌大学,物理系,江西,南昌,330047
2 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,沉积过程中基底温度为370℃,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃,5min).用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分,X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向,扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果,RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介质特性，结果表明,PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关.
射频溅射 沉积功率 钙钛矿结构 铁电薄膜 RF sputtering deposition power perovskite phase PZT PZT ferroelectric thin films
