1 华北电力大学 电气与电子工程学院，北京 102206
2 北京应用物理与计算数学研究所，北京 100094
为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响，建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型，仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响，发现增长栅长、降低鳍宽和增加鳍高有助于抑制短沟道效应；1×1017 cm−3以下的低沟道掺杂浓度对器件特性影响不大，但高掺杂会使器件失效；器件工作温度的升高会导致器件性能的下降；采用高K介质材料作为栅极器件性能优于传统材料SiO2。
Bulk FinFET 短沟道效应 器件性能 参数优化 栅极材料 Bulk FinFET short channel effect device performance parameter optimization gate material 强激光与粒子束
2024, 36(3): 031003
哈尔滨工业大学机电工程学院, 黑龙江 哈尔滨 150001
我国航空、航天等领域的发展推动着全光通信、光信息处理等技术的不断革新。光波导器件作为关键一环,其制备工艺对性能的影响至关重要。超快激光作为一种新型的激光光源,具有极高的能量密度和极短的脉宽,这些特性使得超快激光加工后几乎无热影响区、重铸层等缺陷残留。将超快激光用于制备光波导器件已成为工业界研究的热门领域之一。本文首先阐述了超快激光与常用波导材料的微观作用机理。针对国内外学者利用超快激光制备无源光波导器件的相关研究进行系统综述,详细阐述了光路变换器、功率分配器和波导型透镜等典型无源光波导器件的超快激光制备方法和器件性能;结合当前研究进展和面临的主要问题的分析,对未来超快激光制备无源光波导器件技术的发展方向进行展望。
激光技术 超快激光 无源光波导器件 制备工艺 器件性能
1 上海大学 材料科学与工程学院， 上海 200072
2 上海大学 新型显示技术与应用集成教育部重点实验室， 上海 200072
为了研究分析界面电荷等特性对器件的影响，制备了基于P3HT给体的单/双受体平面异质结(PHJ)有机太阳能电池(OPV)。首先研究了P3HT膜厚、P3HT溶剂和P3HT膜层的干燥时间对器件性能的影响。为了提高P3HT/SubPc PHJ电池的性能，采用双受体的三元器件结构(P3HT/SubNc/SubPc)，制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT/SubNc/SubPc/BCP/Al的三元瀑布型OPV器件并研究了SubNc层厚度对其性能的影响。结果表明，在二元器件(P3HT/SubPc)体系中，P3HT溶于氯仿和1,2-二氯苯混合溶剂，成膜后干燥10 min退火获得的器件性能最佳。在三元器件中，随着SubNc厚度的增大，器件光电转换效率(PCE)先增大后减小。当SubNc厚度为5 nm时，器件PCE达到最大。相比于二元器件，三元器件的各项性能得到明显提升。最后，比较研究了不同厚度SubNc薄膜对器件介电特性的影响。
有机太阳能电池 电池性能 介电特性 organic photovoltaic cells P3HT P3HT device performance dielectric property
1 合肥工业大学 1.特种显示技术国家工程实验室, 特种显示技术教育部重点实验室, 省部共建现代显示技术国家重点实验室
2 2. 光电技术研究院, 合肥 230009
3 合肥工业大学 1.特种显示技术国家工程实验室, 特种显示技术教育部重点实验室, 省部共建现代显示技术国家重点实验室3. 中航华东光电有限公司, 安徽 芜湖 241002
采用粒径约为10nm的CdSSe/ZnS量子点层作为发光层, 制备了叠层结构的量子点发光器件, 研究了量子点层厚度对其薄膜形貌及量子点发光二极管性能的影响。原子力显微镜测试结果表明: 量子点层过厚时, 量子点颗粒发生团聚, 且随着厚度的降低, 团聚现象减弱; 当量子点层厚度和量子点粒径相当时(约为10nm), 量子点呈单层排列且团聚现象基本消失; 而量子点层厚度低于10nm时, 薄膜出现孔洞缺陷。器件的电流-电压-亮度等测试结果表明: 量子点发光二极管中量子点层厚度与器件的光电特性密切相关, 量子点层厚度为10nm的器件光电性能最优, 具有最低的启亮电压4.2V, 最高的亮度446cd/m2及最高的电流效率0.2cd/A。这种通过控制旋涂转速改变量子点层厚度的方法操作简单、重复性好, 对QD-LED的研究具有一定应用价值。
量子点 发光层厚度 量子点发光二极管 器件性能 quantum dots light emitting layer thickness QD-LED device performance
1 福州大学 物理与信息工程学院，福建 福州 350001
2 厦门天马微电子有限公司，福建 厦门 361101
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势，降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失，提高产品品质，本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化。实验以干法刻蚀为主刻蚀，湿法刻蚀为辅刻蚀的方式，既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力，又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性，改善了层间绝缘层刻蚀形貌，减少干法刻蚀对器件有源层的损伤，避免有源层被氧化，防止刻蚀副产物污染开孔表面。实验结果表明，干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题，使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73%以上，且TFT源漏电极接触电阻减小约90%，器件开态电流提升约15%。干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺，提升产品性能的新方法。
干法刻蚀 湿法刻蚀 层间绝缘层过孔 接触电阻 器件性能 LTPS TFT LCD LTPS TFT LCD dry etching wet etching via etching of interlayer dielectric contact resistance device performance
实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPB(30 nm)/BePP2(X nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(80 nm)的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究.结果表明：当束源炉孔径为Φ1.5 mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0.02 nm/s（蒸发温度为135℃），且发光层厚度为35 nm时，可获得启亮电压为5.34 V、发光亮度为9 100 cd/m2、发光效率达4.4 cd/A的较理想蓝光器件.
有机半导体 蓝光有机电致发光二极管 真空蒸镀 沉积速率 厚度 发光亮度 空穴注入层 器件性能 Organic semiconductor Blue organic light-emitting diode Vacuum deposition BePP2 BePP2 Deposition rate Thickness Brightness Hole injection layer 2T-NATA 2T-NATA Device performance
1 深圳大学 机电与控制工程学院, 广东 深圳518060
2 深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳518060
3 深圳大学 电子科学与技术学院, 广东 深圳518060
制备了基于CuPc/C60双层异质结有机光伏器件, 研究不同光辐照强度及温度对器件性能的影响。测试结果表明: 辐照强度直接决定器件的短路电流大小, 但对开路电压影响不大; 器件的短路电流对温度依赖性不强, 但随着温度的降低, 器件的开路电压逐渐增大。结合实验数据从理论上解释了光辐照强度及温度与有机光伏器件短路电流密度和开路电压的关系, 为有机太阳能电池性能的改善提供了研究基础。
器件性能 光辐射强度 温度 device performance the illumination intensity temperature
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Frontiers of Optoelectronics
2008, 1(3): 323
