针对微表处路面耐久性不足、尾矿综合利用率低以及钢渣长期堆放造成环境污染等一系列问题，讨论了不同粒径钢渣及铁尾矿替代传统优质集料的可行性，利用材料分析技术及物理力学性能测试，揭示了不同粒径钢渣及铁尾矿的材料特征，制备了铁尾矿-钢渣集料微表处混合料。以混合料的黏聚性、耐磨耗性能、水稳定性、抗滑性能及抗车辙性能作为评价指标，分别采用黏聚力试验、湿轮磨耗试验、冻融循环湿轮磨耗试验、长期抗滑性能试验及轮辙变形试验对铁尾矿-钢渣集料微表处混合料的耐久性进行评价。结果表明：铁尾矿和钢渣对微表处混合料的耐磨耗性能、长期抗滑性能以及抗车辙性能具有显著增强作用；铁尾矿的掺入会对混合料黏聚性和抗水损害性能产生不利影响，且在20%(质量分数)掺量时加剧，但钢渣的掺入可以有效改善铁尾矿导致的黏附性差的问题；使用钢渣粗集料替代传统集料，同时掺入15%（质量分数）的铁尾矿细集料可以有效提升微表处路面的耐久性，从而延长微表处路面的使用寿命。

对于同样信道数的波分复用,采用三信道器件比用两信道器件更为简单.文章对一种能够实现三信道平坦输出的全光纤梳状滤波器的新结构进行了分析,推导了新结构的能量传输表达式,详细讨论了耦合器分光比的改变对滤波特性的影响.结果表明,当组成新结构的光纤干涉臂间的长度差和耦合器分光比取某些定值时,可形成一个复用间隔相等、通带平坦的三信道全光纤梳状滤波器,且波分复用的信道间隔仅仅取决于干涉臂长差的大小.

制备了基于P3HT∶PCBM复合体异质结有机太阳能电池,通过改变旋涂速度和时间来控制活性混合膜中溶剂的挥发时间,研究了载流子复合损耗与器件加工制造条件以及界面陷阱密度的关系.测试结果表明,活性复合膜溶剂的挥发时间对有机太阳能电池的光电性能有直接影响.溶剂挥发快的器件产生的陷阱辅助复合最为强烈,基于开路电压与光强对数关系的直线的斜率较大,存在的界面陷阱密度也最大.文中建立了制造加工条件、复合损耗机制、界面陷阱密度、器件光电特性之间的数值联系,这对最终提高聚合物太阳能电池性能具有重要的指导意义.

利用大面积硅片制作 X 射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变, 严重影响了这些器件的应用。本文以 5 英寸硅片为例, 研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题, 定性分析了产生形变的力学因素, 提出了减小形变的氧化方法。首先实验制作了具有高深宽比微结构的硅片, 采用不同的氧化方法, 比较了变形的大小。结果表明, 通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量。

制备了结构为CuPc/缓冲层/C60异质结的有机光伏器件，分别选用三氧化钼和红荧烯为缓冲层，研究了增加缓冲层对器件性能的影响.结果表明，增加三氧化钼和红荧烯缓冲层后器件的开路电压和光电转换效率都得到提高，器件的短路电流密度和填充因子都有所降低.开路电压从没有缓冲层时的0.39 V分别提高到0.58 V、0.55 V，转换效率从0.36%提高到0.44%，短路电流从1.92 mA/cm2分别降低到1.77 mA/cm2、1.81 mA/cm2，填充因子从0.48分别减少到0.43、0.44.进一步研究表明器件的短路电流密度受缓冲层厚度的影响很大，当缓冲层厚度很小时，器件短路电流密度还有所增加，但随着缓冲层厚度的增加，短路电流密度逐渐减小，当缓冲层厚度为10 nm时，器件短路电流密度减少到0.35 mA/cm2.开路电压随着厚度的增加逐渐增加，从1 nm时的0.43 V增加10 nm时0.63 V.根据整数电荷转移模型和界面能级理论解释有机光伏器件开路电压提高以及短路电流密度减少的原因，为有机太阳能电池性能的改善提供了研究方法.

制备了基于CuPcC60混合层异质结有机光伏器件，将其与CuPc-C60双层结构光伏器件进行对比研究。结果表明混合层结构器件性能得到改善，其开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率都有提高，分别从CuPc-C60双层结构器件的0.39 V、1.92 mA/cm2、0.36%、0.48依次提高到CuPcC60混合层结构器件的0.48 V、2.21 mA/cm2、0.54%、0.51。根据整数电荷转移模型来分析光伏器件D/A界面及有机材料-ITO衬底界面特性，认为混合层异质结有机光伏器件给体材料HOMO与受体材料LUMO的能级差增加使得器件开路电压提高。混合层异质结有机光伏器件D/A界面面积增加和给体材料HOMO与受体材料LUMO的能级差增加都提高了激子的分离效率，所以器件的短路电流密度增加。

利用光辅助电化学刻蚀方法，在厚度为425μm的5英寸硅片上，制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素，并结合实验条件，通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明，相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术，光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.

硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔阵列制作技术。考虑到实际反应条件下的物质输送、刻蚀液浓度、光照条件、温度等因素的影响都体现在刻蚀电流与电压上，重点研究了电流、电压与微结构形貌之间的关系。通过空间电荷区的大小以及刻蚀电流与溶液浓度之间的关系，得到合理的刻蚀参数。在5 inch (1 inch=2.54 cm)硅基上制作出深度达200 μm以上的均匀深孔，得到大面积、高深宽比的均匀微孔阵列，满足微通道板对结构形貌的要求。

制备了基于CuPc/C60双层异质结有机光伏器件, 研究不同光辐照强度及温度对器件性能的影响。测试结果表明: 辐照强度直接决定器件的短路电流大小, 但对开路电压影响不大; 器件的短路电流对温度依赖性不强, 但随着温度的降低, 器件的开路电压逐渐增大。结合实验数据从理论上解释了光辐照强度及温度与有机光伏器件短路电流密度和开路电压的关系, 为有机太阳能电池性能的改善提供了研究基础。

We observe the morphological change and grain structure of Ni foil when it is ablated with femtosecond laser pulses. Scanning electron microscopy and ˉeld emission transmission electron microscopy are used to study the nature of the morphology and grain structure of nickel foil and determine the essential features. The results indicate that there are many random nanostructures in the center of the ablated region composed of nanocrystalline grains as well as some core-shell structures. The observed morphologies seem to suggest that phase explosion and extremely high cooling rate are the most probable physical mechanisms responsible for the formation of surface nanostructures.