Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
2 Institute for Advanced Study, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
Close-space sublimation (CSS) has been demonstrated as an alternative vacuum deposition technique for fabricating organic light-emitting diodes (OLEDs). CSS utilizes a planar donor plate pre-coated with organic thin films as an area source to rapidly transfer the donor film to a device substrate at temperatures below 200 °C. CSS is also conformal and capable of depositing on odd-shaped substrates using flexible donor media. The evaporation behaviors of organic donor films under CSS were fully characterized using model OLED materials and CSS-deposited films exhibited comparable device performances in an OLED stack to films deposited by conventional point sources. The low temperature and conformal nature of CSS, along with its high material utilization and short process time, make it a promising method for fabricating flexible OLED displays.
close-space sublimation OLED thin film low temperature vacuum deposition Journal of Semiconductors
2023, 44(9): 092602
1 上海大学 物理系，上海 200444
2 同济大学 物理科学与工程学院 精密光学工程技术研究所，上海 200092
3 先进微结构材料教育部重点实验室，上海 200092
为研究本底真空对Yb/Al多层膜微结构和光学性能的影响，使用直流磁控溅射设备，在本底真空度分别为4×10-5 Pa、8×10-5 Pa、1×10-4 Pa、2×10-4 Pa和4×10-4 Pa条件下，制备了一组结构相同的SiC/（Yb/Al）3周期多层膜。使用X射线掠入射反射、原子力显微镜及大角X射线衍射等方法表征了样品表面和内部结构，结果表明：当本底真空度从4×10-4 Pa提高至4×10-5 Pa时，Yb/Al多层膜的平均界面宽度从2.15 nm减小到1.82 nm；表面粗糙度从1.87 nm减小到1.43 nm；膜层内有Yb、Yb2O3和Al结晶，结晶尺寸随真空度略有增加。SiC/（Yb/Al）3周期多层膜为张应力，当本底真空度从4×10-4 Pa提升至4×10-5 Pa时，应力从85 MPa增大到142 MPa。测试了本底真空度为4×10-5 Pa时制备的多层膜样品的反射率，在波长为73.6 nm、入射角为5°时，反射率为31.3%。
紫外辐射 真空沉积 多层膜 反射 磁控溅射 Ultraviolet radiation Vacuum deposition Multilayers Reflection Magnetron sputtering 光子学报
2021, 50(11): 1131001
实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPB(30 nm)/BePP2(X nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(80 nm)的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究.结果表明：当束源炉孔径为Φ1.5 mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0.02 nm/s（蒸发温度为135℃），且发光层厚度为35 nm时，可获得启亮电压为5.34 V、发光亮度为9 100 cd/m2、发光效率达4.4 cd/A的较理想蓝光器件.
有机半导体 蓝光有机电致发光二极管 真空蒸镀 沉积速率 厚度 发光亮度 空穴注入层 器件性能 Organic semiconductor Blue organic light-emitting diode Vacuum deposition BePP2 BePP2 Deposition rate Thickness Brightness Hole injection layer 2T-NATA 2T-NATA Device performance
1 中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119
2 中国科学院 研究生院,北京 100049
在MgF2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟(ITO)导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响。并与传统的金属导电基底Au和Cr进行了性能比较。用光学显微镜、四探针测试仪、高阻计、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计分别测试了薄膜的表面形貌、方块电阻、形态结构和190-800 nm波段范围内薄膜的透射比曲线,得到方块电阻为107 Ω左右时薄膜在200-400 nm波段内透射比的变化范围。实验结果表明,厚度相同时,充氧会增大ITO薄膜电阻;退火则会降低薄膜电阻并提高紫外透射比,薄膜结构由非晶态变为多晶态。方块电阻同为107 Ω时,在200-400 nm波段充氧退火后ITO薄膜的平均透射比比Au,Cr的高10%。
薄膜光学 导电基底 真空沉积 光学及电学性能 像增强器
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
利用真空蒸镀方法以N2,N7二(间甲苯胺基)N2,N7二苯基2,7二胺基9,9二甲基芴[2,7-bis(p-methoxyphenyl-m′-tolylamino)-9,9-dimethylfluorene, TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件。与制作的典型双层结构N,N′二苯基N,N′二(3甲基苯基)1,1′联苯4,4′二胺[N, N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为 (0.30,0.53),为Alq3材料发光。以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9二甲基4,7二苯基1,10菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline, bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件。结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为 (0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W。基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20 ℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19 ℃的玻璃化转变温度(Tg)。
光学材料 有机电致发光器件 新型空穴传输材料 真空蒸镀 蓝光
