1 合肥工业大学 a.计算机与信息学院
2 合肥工业大学 b.光电技术研究院，安徽合肥 230009
为了满足高增益天线大的移相度和可工作在太赫兹频段，设计了一种基于液晶的双偶极子反射移相单元结构。采用液晶的等效介电常数模型，在频率为 335~345 GHz频段均产生 360o以上的相移，在 342 GHz实现最大相移 390o。为了减小液晶不均匀性对相移产生的影响，建立了单元的精确模型，该模型在频率范围为 330~338 GHz时均产生了 250o以上的相移，在336 GHz实现最大相移285o。与均匀液晶等效介电常数模型相比，产生最大相移的频率点发生了变化，并且产生了最大为105o的移相差值，这在相控反射阵列天线的设计中是不可忽略的。
反射阵列 双偶极子 液晶 太赫兹 移相单元 reflectarray double dipole Liquid Crystals(LC) terahertz phase shifting cells 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(2): 187
1 南阳理工学院 电子与电气工程学院，河南 南阳 473004
2 南京理工大学 电子工程与光电技术学院，南京 210094
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系，利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型，通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算，得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理，得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明：负电子亲和势 GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值，激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时，低动能截止点依次向左移动，当覆盖度从0增加到1个单层时，低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明，低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子［GaN(Mg):Cs］数量的增多造成的，有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.
半导体材料 负电子亲和势 双偶极层模型 光电阴极 光电流 铯吸附 Semiconductor material Negative electron affinity Double dipole layer model GaN GaN Photocathode Photocurrent Cs adsorption
