报道了320 × 256元InAs /GaSb II 类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PNNP叠层双色外延结构，信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb 衬底上生长超晶格材料，双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs /7 ML GaSb和10 ML InAs /10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30 μm.在77 K 时测试，器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2 μm和5.5 μm，其中NonP器件平均峰值探测率达到6.0×1010 cmHz1/2W-1，盲元率为8.6%；PonN器件平均峰值探测率达到2.3×109 cmHz1/2W-1，盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.