1 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 西华大学 材料科学与工程学院, 成都 610039
采用感应耦合等离子体刻蚀技术，以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰，研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面粗糙度和微观形貌的影响。结果表明，CF4化学刻蚀与Ar的物理轰击对熔石英样品表面修饰效果存在一定竞争关系，当它们达到平衡时表面粗糙度最小。通过对不同流量气体刻蚀过后熔石英表面粗糙度和光学显微形貌分析获得了较为理想的气流量配比，该研究为反应等离子体修饰熔石英光学元件以获得较高光学性能提供工艺参考。
反应离子刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率 粗糙度 刻蚀形貌 reactive ion etching inductively coupled plasma etching rate roughness etch morphology 强激光与粒子束
2014, 26(3): 032002
