1 太原理工大学 物理与光电工程学院, 山西 太原030006
2 韩山师范学院 材料科学与工程学院, 广东 潮州521041
利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜, 研究薄膜的Eu3+发光激发机制。实验结果表明, 薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成; 随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%, 其红光强度增加3倍左右, 而蓝光逐渐减弱。Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明, 其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起。结合薄膜的Eu3+激发光谱分析, SiCxOy∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu3+离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu3+离子的能量转移。
光致发光 铕掺杂 碳氧化硅 能量转移 photoluminescence europium dopant silicon oxycarbide energy transfer
