采用高温固相法制备了新型(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉, 其中包括3个二元碱土离子配比系列和3个代表性三元碱土离子配比系列（Ba不变而Mg/Sr比连续变化、 Mg/Sr比不变而Ba含量连续变化）共计6个系列, 并研究其光谱性能（激发谱和发射谱）、 紫外（254和365 nm）发光照相记录及CIE值对应色像。 借鉴三元相图的建立思路, 由这些二元和代表性三元数据推导三元色像图, 用于新型荧光粉的系统开发。 所制备的荧光粉系列包括： Mg2SiO4-Sr2SiO4, Ba2SiO4-Sr2SiO4, Mg2SiO4-Ba2SiO4, Ba原子比含量为0.2（Mg/Sr原子比连续变化）, Ba原子比含量为0.6（Mg/Sr原子比连续变化）, Mg/Sr原子比为1/4（Ba原子比含量连续变化系列）。 其对应的254 nm激发下光谱性能、 发光照相记录、 和CIE色像分析表明： Eu离子可以三价和二价形式存在于(Mg1-x-yBaxSry)2SiO4中； 二元系列中(Mg1-xBax)2SiO4和(Ba1-ySry)2SiO4基体中随着Ba原子比的增加荧光粉逐渐由红(对应Eu3+ 5D0→7F1和5D0→7F2电子跃迁窄带发射)变绿(对应Eu2+ 4fn-15d→4fn电子跃迁发射宽带发射)且前者变化的更快； 二元系列中(Mg1-ySry)2SiO4系列为红色荧光粉, 且随着Sr含量增加红色发光增大； 三元系列中(Bax(Mg0.2Sr0.8)1-x)2SiO4（Mg/Sr=1/4）随着Ba离子量增加荧光粉也逐渐由红变绿, 其变化速度介于Mg/Sr比等于0（即Ba2SiO4-Sr2SiO4系列）和Mg/Sr比等于∝（即Ba2SiO4-Mg2SiO4系列）； 三元系列中(Ba0.2SryMg0.8-y)1.95SiO4为红色荧光粉, 而(Ba0.6SryMg0.4-y)2SiO4随着Mg/Sr原子比增加逐渐由红转蓝绿光。 365 nm激发下荧光发射的变化规律与254 nm激发下大体一致, 但是同一样品在365 nm激发下其绿光波段发射要比254 nm激发要强且其红光波段发射要比254nm激发要弱, 故(Mg1-xBax)2SiO4, (Ba1-ySry)2SiO4, (Bax(Mg0.2Sr0.8)1-x)2中对应的由红变绿时Ba含量分别为40at%, 60at%, 60at%（254 nm激发下60at%, 80at%, 70at%）且(Ba0.6SryMg0.4-y)2SiO4中由红变绿的Mg/Sr比为1/4（254 nm激发下为2/3）。 据此建立Eu掺杂Ba2SiO4-Mg2SiO4-Sr2SiO4紫外激发色像图。 借由色像图可知(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉紫外激发下发射光变化规律, 即基体组分靠近Ba2SiO4端发射绿色而靠近Mg2SiO4或Sr2SiO4端发射红色, Mg/Sr比越大随着Ba原子的增加荧光粉的由红转绿的速度越快； 同一样品在365 nm激发下其绿光波段发射要比254 nm激发要强且其红光波段发射要比254 nm激发要弱, (Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉中当Ba>80at%, Mg>90at%(或Sr>80at%)荧光粉可分别用作高效绿色、 红色荧光粉； 此外, 当组分为(Mg0.8Sr0.2)1.95SiO4∶0.05Eu, (Ba0.8Mg0.16Sr0.04)1.95SiO4∶0.05Eu是紫外激发下（254和365 nm）最好的红色和绿色荧光粉。

以三价铕离子为单一铕源, 采用化学共沉淀法制备了二价铕与三价铕共掺杂的SrSO4荧光粉体材料.通过X射线衍射仪、扫描电镜、光致发光谱仪对该荧光粉的晶体结构、形貌、光致发光特性进行分析.研究发现: 所合成的SrSO4粉体材料为二价铕与三价铕共掺杂的SrSO4微晶, 其大小在1~10 μm之间.在325 nm 的紫外光激发下该微晶能发射很强的绛红色荧光, 其光致光谱由一个位于379 nm 的宽发光带和位于575 nm、591 nm和612 nm的三个窄发光带组成.基于局域密度近似的密度泛函理论, 计算了SrSO4的能带结构及其氧缺陷能级, 然后以能带结构为基础讨论了二价铕与三价铕共掺杂SrSO4的发光机理.峰位于379 nm的宽发光带可归因于SrSO4微晶中二价铕离子发光中心的4f65d1→4f7的电子跃迁, 而三个红色窄发光峰分别来自三价铕离子5D0→7F0, 5D0→7F1, 5D0→7F2的电子跃迁.实验表明二价铕与三价铕共掺杂的SrSO4能作为高效的绛红色荧光粉.

利用磁控溅射技术在低温250 ℃下制备Eu掺杂SiCxOy薄膜, 研究薄膜的Eu3+发光激发机制。实验结果表明, 薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu3+的红光组成; 随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%, 其红光强度增加3倍左右, 而蓝光逐渐减弱。Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明, 其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起。结合薄膜的Eu3+激发光谱分析, SiCxOy∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu3+离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu3+离子的能量转移。

采用化学沉淀法制备了一系列Eu3+掺杂的羟基磷灰石样品, 并在不同温度下对样品进行了烧结。使用X射线衍射、红外光谱以及荧光光谱等对样品的结构及发光特性进行了研究。分析表明, 烧结对Eu掺杂羟基磷灰石的结构及结晶度产生了影响。在394 nm激发下, 样品出现Eu的特征发射, 掺杂摩尔分数一定时, 随烧结温度增加, 样品的荧光发光强度先增大后减小, 在500 ℃达到峰值。其荧光寿命随烧结温度的升高而延长。此外, 样品中电偶极跃迁与磁偶极跃迁强度之比(IR∶IO)也随烧结温度的增加先增大后减小。分析表明, 烧结温度的改变通过晶体结构对样品的荧光特性以及掺杂取代位置产生了影响。