通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块AlxGa1-xN样品, 利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象, 提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析, 得出如下重要结论: 样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点, PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致; 随着温度的升高, 若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移, 则说明样品中电场分布不均匀。

宽波段光源在工作过程中, 光强通常会随供电电源输出功率的变化而波动。 宽波段光源波段内各个波长的光谱强度将会发生不同程度的波动。 为解决光源光强波动时其波段内各个波长光谱强度的补偿问题, 提出了一种基于光谱线性拟合的补偿方法。 使用这种方法, 只需测量光源波段光强的变化, 就可以补偿各个波长光谱强度的波动。 通过分析理想黑体全波段辐射出射度与光谱辐射出射度的近似线性关系。 建立了宽波段光源波段光强与光谱强度的线性模型。 实验装置主要由卤素灯珠、 光源电源、 光阑、 光谱仪及计算机构成。 调节电源的输出功率, 得到一组卤素灯珠在不同输入功率下的相对光谱强度。 测量不同功率下卤素灯珠光谱强度来验证该方法补偿效果。 按线性关系拟合了卤素灯珠光谱强度与其波段光强关系式, 并分析了拟合误差。 实验表明: 卤素灯珠的光谱强度与其波段光强具有很好的线性关系, 可以用波段光强按线性关系来补偿其光谱强度的波动。 随着卤素灯珠输入功率的增大, 补偿后的光谱强度的相对误差绝对值下降。 在卤素灯珠输入功率范围内, 使用该方法补偿的光谱强度在绝大部分(92%)波长下相对误差绝对值可在5%以内。