报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合 SIMS测试技术得到了 As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系;并利用傅里叶红外光谱仪、 X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征,结果显示利用 MBE方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜;进一步研究了 As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响.
分子束外延 碲镉汞 原位As掺杂 退火 molecular beam epitaxy HgCdTe in-situ As-doping annealing
