作者单位
摘要
长春理工大学 理学院, 长春 130022
从激光与物质相互作用理论出发, 对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析。建立一套实验装置, 所用激光光源的波长为1 064 nm,脉宽为10 ns, 重复频率为1 Hz。得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱, 在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析。提取380~460 nm波段的单晶硅等离子体光谱, 分析了谱图中SiⅠ390.52 nm, SiⅡ385.51 nm,SiⅡ413.12 nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系。
激光与物质相互作用 等离子体 激光发射光谱 光谱分析 interaction between laser and material laser plasma laser emission spectrum spectrum analysis 
强激光与粒子束
2010, 22(8): 1815

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