利用激光诱导与化学镀铜的方法在聚酰亚胺薄膜上制备了太赫兹线栅偏振器和带阻滤波器，用太赫兹时域光谱系统对所制备的器件进行了测试。测试结果表明，该方法制备的太赫兹线栅偏振器在0.2～1.5 THz范围内的消光比优于20 dB，耶路撒冷十字结构带阻滤波器的3个中心频率分别为0.41、1.07、1.47 THz。实验结果与时域有限差分法的仿真结果基本相符。研究表明激光诱导与化学镀铜是一种简单灵活且能有效地制备太赫兹器件的方法。

利用钛宝石飞秒激光脉冲对单晶硅在SF6、空气和真空环境中进行了累积脉冲辐照, 研究了硅表面微结构的演化。在SF6气氛中, 在激光辐照的初始阶段, 硅表面形成了１维的波纹结构, 随着辐照脉冲数的增加, 波纹结构演化成了２维凹凸结构。累积600个脉冲后, 硅表面产生了准规则排列且具有大纵横比的锥形尖峰结构。该结构呈现高度相对较低、锥形尖端小球不明显的特征, 分析认为主要与环境气压的大小有关。对比空气、SF6和真空中的微结构发现, 尖峰的数密度依次减小; SF6中形成的尖峰高度最大, 其次为真空, 再次为空气。研究结果表明, 真空、SF6和空气３种环境下微结构的形成及表面形貌主要由激光烧蚀、化学刻蚀和氧化决定。

基于线列光探测器件的光谱仪具有多光谱通道探测的优点，以及其在物质光谱分析中担当的重要角色。分析了基于线列光探测器件光谱仪的波长准确度问题，提出利用激光诱导击穿原子光谱丰富波长校准特征波长谱线的思想。实验选用光谱波长范围为200 nm～600 nm的凹面光栅光谱仪、2048元焦平面的CCD器件和低压汞灯，分别对铜、铝、镁、钙、硅等5种样品进行了激光诱导击穿光谱试验；利用选取的10条激光诱导原子光谱波长数据并结合低压汞灯的10条特征谱线对光栅光谱仪重新进行波长校准，获取的试验数据有力地证明了这种思想的可行性。

Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂,形成PN结.用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂(～1019cm-3)、浅结(～1μm)的P-InP.初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程.