广色域TFT-LCD产品需要使用高颜料浓度的RGB色阻, 光照状态下易于发生发绿不良, 严重影响TFT-LCD显示器件的视觉效果。通过研究不同成分的色阻制成的TFT-LCD与光电测试样板在光照前后的发绿情况以及光电特性变化, 确定TFT-LCD光致发绿不良源于绿色色阻中含有的金属酞箐类G颜料, 且不良程度与绿色色阻中G颜料含量强关联。此类颜料具有共轭结构与半导体特性, 光照状态下发生电子迁移, 导致介质损耗因数升高, 影响TFT-LCD的耦合电场, 进而导致RGB像素亮度的差异化, 形成光致发绿不良。依托方法: (1)在保证TFT-LCD样品色度规格的前提下, 通过广色域G颜料以降低绿色色阻中的G颜料含量; (2)使用高敏感度的光起始剂, 可以有效改善TFT-LCD产品的光致发绿不良, 尤其方法(1)更为有效。本文建立TFT-LCD显色核心的彩色滤光片RGB色阻成分管理基准, 同时搭建光致发绿不良的生产线与实验室评价体系, 为后续色阻材料开发提供理论指导。

基于超导器的连续波运行的高流强质子/氘束被越来越多的大科学装置所采用。在流强低于10 mA情况下, 用于加速低β段粒子的超导腔的高阶模影响基本可以忽略, 但是对于加速百mA强流的低β超导腔, 其高阶模损耗情况有待研究。近期北京大学设计并加工了一支β=0.09、运行频率162.5 MHz的超导半波长谐振腔, 用于研究非相对论低β超导半波长谐振腔加速100 mA强流质子束时可能涉及到的关键物理问题。重点研究了这支半波长谐振腔内部高阶模损耗的问题, 用时域和频域两种方法分别计算了腔的高阶模损失因子, 同时计算了考虑加工误差下腔内发生高阶模共振激发的概率。

为研究入射电磁波与缝隙参量对矩形腔体屏蔽效能的影响，提出基于透射定律结合等效传输线方法对腔体的电磁屏蔽特性进行分析。详细推导了经缝隙透射进腔体内的电场，将透射电场作为等效电压源并对传统的传输线模型进行了修正，使之能计算任意方位入射的电磁波及缝隙偏离体壁中心时的情况；并对此方法的计算公式进行了扩展，使其能分析不同形状、孔阵、孔距及损耗等参量对腔体屏蔽效能的影响。研究表明：缝隙位于体壁中心时的屏蔽效能比靠近体壁边沿时差；相对入射角和方位角而言，极化角对腔体的屏蔽效能影响较大；在保持孔阵总面积不变的情况下，通过减小孔径来增加孔的数目或增大孔间距都可提高腔体的屏蔽效能；屏蔽体内损耗因子越大，则对腔体内的谐振频率抑制效果越明显。通过与腔体内谐振频率理论值、数值方法结果的比对分析表明，修正和扩展的解析方法结果可信，且利于各参量对腔体屏蔽效能的分析，适用范围更广。

基于速率方程和腔内光传输方程,推导了纵向抽运准三能级连续激光器的抽运吸收效率、斜率效率、腔内基波几何平均光强、激光阈值、激光输出光强和功率的显式解析表达式。讨论了抽运吸收饱和效应对抽运吸收效率、激光阈值、激光转换效率和腔内基波几何平均光强的影响。理论分析和数值模拟表明,抽运饱和效应对激光性能的影响与抽运吸收截面和激光发射截面的比值、平均单程损耗因子、抽运能级与激光上下能级的粒子数布居因子及晶体长度等因素有关。当晶体越短、抽运吸收截面和激光发射截面的比值越大、腔损耗越大时,抽运吸收饱和效应越明显。抽运吸收效率的下降会导致激光阈值升高、腔内基波几何平均光强以及激光转换效率的下降。

从波导微环谐振腔的光场传输函数出发,推导出其延时响应函数,分析了微环波导损耗对其延时响应特性的影响,发现应用于光学相控阵天线系统的微环谐振腔光延时线必须工作于过耦合状态,即耦合系数κ与微环波导损耗因子γ应满足关系式κ>(1-γ)。以延时抖动品质因子ε为判据,建立了微环谐振腔光延时线的优化设计方法,获得了目标延时为0.6 ns,延时带宽为2 GHz,延时抖动品质因子小于1×10-3 ns2的四环级联波导微环谐振腔光延时线的优化结构参数。

行波电极(Traveling wave electrode，TW)，是目前广泛采用的一种电极结构，可缩短光载波与调制信号的互作用长度，可有效避免分布电容(Contribution capacity，CR)对调制带宽的限制。基于时域法设计、分析了InP／InGaAsP－EAM调制器行波电极，并与实际制作的EAM的行波型TW进行了特征阻抗Zc、损耗系数α对比，结果表明用时域法设计、计算的TW的特征阻抗、损耗系数与实测的结果符合的较好，特征阻抗约为45Ω，在0～20GHz的频率范围，损耗系数α小于4dB／mm。

利用变分法详尽地研究了X-波段盘荷波导中栏片圆弧对频率和尾场的影响,比较了不同栏片形状下加速模和横向模的频率与尾场。研究表明栏片形状对频率的影响较小,但对尾场的影响较大.在圆弧栏片和直边栏片两种情形下,最危险EH16模的尾场相差超过15％,因此栏片圆弧的作用是不能忽略的。