随着现代科技高速发展，各类通信设备与电子仪器所产生和面临的电磁污染与电磁干扰状况日益复杂，因而电磁屏蔽材料的研究受到了广泛关注。而在**、航空航天、医疗、精密仪器等诸多领域同时存在着实现光学透明和电磁屏蔽功能的应用需求，因此研发兼具高透过率和高电磁屏蔽效能的电磁屏蔽玻璃具有重要意义。本文对近年来国内外关于电磁屏蔽玻璃的最新研究进展进行了综合评述，并从结构角度将电磁屏蔽玻璃分为膜层类结构、网栅类结构和复合结构三类，对各种结构及材料的优势与缺陷进行了总结和分析，最后对未来该领域的研究方向和发展前景进行了展望。

利用电沉积法制备磁屏蔽薄膜，不仅可以精确控制沉积膜的化学成分和厚度，而且可以在复杂几何形状的表面上形成薄膜。通过电沉积装置制备了铁镍-铜-铁镍多层复合磁屏蔽薄膜，并探究了磁场强度、厚度、高温环境对磁屏蔽薄膜屏蔽效能的影响。实验结果表明，50 μm和100 μm样品的屏蔽效能随磁场强度的增大而增大，200 μm的屏蔽效能则是先增大后降低；在4~16 Oe磁场中，厚度越大，薄膜屏蔽效果越好；100 ℃的温度会降低所有厚度的磁屏蔽薄膜的屏蔽效能。

为研究入射电磁波与缝隙参量对矩形腔体屏蔽效能的影响，提出基于透射定律结合等效传输线方法对腔体的电磁屏蔽特性进行分析。详细推导了经缝隙透射进腔体内的电场，将透射电场作为等效电压源并对传统的传输线模型进行了修正，使之能计算任意方位入射的电磁波及缝隙偏离体壁中心时的情况；并对此方法的计算公式进行了扩展，使其能分析不同形状、孔阵、孔距及损耗等参量对腔体屏蔽效能的影响。研究表明：缝隙位于体壁中心时的屏蔽效能比靠近体壁边沿时差；相对入射角和方位角而言，极化角对腔体的屏蔽效能影响较大；在保持孔阵总面积不变的情况下，通过减小孔径来增加孔的数目或增大孔间距都可提高腔体的屏蔽效能；屏蔽体内损耗因子越大，则对腔体内的谐振频率抑制效果越明显。通过与腔体内谐振频率理论值、数值方法结果的比对分析表明，修正和扩展的解析方法结果可信，且利于各参量对腔体屏蔽效能的分析，适用范围更广。

针对电磁辐射对日常生活、社会安全以及**等领域所造成的危害，研究透红外/可见光学窗电磁波屏蔽技术。为降低传统金属网栅可见和红外波透过率低的问题，提出在光学窗上制作由ITO、SnO2等氧化物膜构成透明导电网栅。从理论分析入手分析导电网栅线宽、周期对光电特性的影响，利用镀膜、光刻及化学腐蚀方法制备线宽和周期不等的ITO 膜网栅，并将其结果与金属网栅进行对比分析得出结论：红外透过率方面，ITO 膜网栅大于金属网栅，并且相差较多，可达10%以上；而屏蔽效率方面ITO 膜网栅小于金属网栅，但相差很小，最大仅2～3 dB。因此，透明导电膜网栅代替金属网栅用于解决红外透过率与屏蔽效率的矛盾实用价值更高。