为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收, 制备低电压高功率的紫外LED, 研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺。利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜, 并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率, 分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长, 制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明: 掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV。在600 ℃退火后, 方块电阻降低6.2 Ω/□, 透过率在356 nm处达到90.8%。在120 mA注入电流下, 365 nm LED的电压降低0.3 V, 功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙, 改变紫光LED光电性能。

研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500 ℃和600 ℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14 mil×28 mil正装395 nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明：掺3 nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600 ℃退火后方块电阻最大降低6.2 Ω/□,透过率在395 nm处最大达91.2%。在120 mA注入电流下,395 nmLED电压降低0.5 V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。