1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093
2 上海理工大学 光学仪器与系统教育部工程研究中心，上海 200093
为研究Lumogen （C22H16N2O6）薄膜在真空紫外波段的光致发光特性及辐照损伤，采用热阻蒸发法，以氟化镁为基底制备Lumogen薄膜。使用真空紫外荧光光谱仪、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外?可见分光光度计等仪器分别对薄膜的光致发光特性、荧光强度衰减变化、表面形貌、透过率等进行测试与表征。实验结果表明，真空紫外波段的最佳激发波长为160 nm；发射峰宽为500～620 nm，峰值位置是在528 nm处；在160 nm激发波长持续辐照20 h后，发射峰位置的荧光强度由快及慢地从8.76衰减为0.83，整体下降了90.5%；薄膜表面的均方根粗糙度从10.96 nm增加到14.96 nm；160 nm真空紫外光的高光子能量使Lumogen分子中的荧光助色团－OH断裂，薄膜表面受损，造成不可逆的破坏；被真空紫外光持续辐照后的Lumogen薄膜在250～450 nm波段内的透过率下降了约50%。研究结果表明，Lumogen薄膜在持续高能真空紫外光辐照下，薄膜表面会造成损伤，光学性能会下降，为其在紫外探测器件及航空航天领域的应用研究提供一定参考。
Lumogen薄膜 真空紫外辐照 荧光薄膜性能 Lumogen thin film vacuum UV radiation properties of fluorescent thin film
1 华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心,物理与光电学院,广东 广州 510640
2 中山市华南理工大学现代产业技术研究院,广东 中山 528437
研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500 ℃和600 ℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14 mil×28 mil正装395 nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明：掺3 nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600 ℃退火后方块电阻最大降低6.2 Ω/□,透过率在395 nm处最大达91.2%。在120 mA注入电流下,395 nmLED电压降低0.5 V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。
导电薄膜 掺金属 退火 395 nm紫外LED 薄膜性能 conductive thin film metal-dope annealing 395 nm UV LED film performance
1 井冈山大学数理学院, 江西 吉安 343009
2 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广东 广州 510631
利用旋涂技术制备了银纳米线(AgNW)薄膜,对该AgNW 薄膜进行了溶剂蒸发退火处理。研究了所制备的AgNW薄膜的方块电阻、光学透光率、微结构及表面形貌,分析了以退火处理的AgNW薄膜作为阳极的聚合物太阳能电池的电流-电压特性。结果表明,经过3 h的甲醇退火处理,薄膜方块电阻由退火前的45.3 Ω/□减小到28.7 Ω/□,最后达到饱和,薄膜的品质因数提高了72.7%,薄膜的性能得到了增强;随醇溶剂沸点的增加,AgNW薄膜方块电阻的降低程度变小。以退火处理的AgNW薄膜为阳极的聚合物太阳电池的光电转换效率由退火前的0.94%增大到1.60%。退火3 h可获得性能较好的AgNW薄膜。
薄膜 薄膜性能 溶剂蒸发退火 银纳米线薄膜 方块电阻 聚合物太阳能电池 激光与光电子学进展
2018, 55(5): 053101
哈尔滨工业大学 应用化学系，黑龙江 哈尔滨 150001
采用电沉积方法在表面活性剂与电解液的界面上制备了银纳米膜。通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中纳米银膜的电沉积速率及纳米银膜颗粒进行比较发现，相同条件下硝酸银体系得到的纳米膜晶粒粒径比较小，膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系。考察了槽压、电解液的浓度和温度及溶液的pH值对制备银纳米膜的影响，确立了制备银纳米膜的最佳工艺条件为硝酸银浓度5 mmol／L，槽压4 V，pH3．0，硬脂酸的质量浓度0．2 g／L。实验表明，最佳工艺条件下制备的银纳米膜晶粒粒径均匀，平均粒径在20 nm左右，近似球形。本方法制备的银纳米膜将在非线性光学材料方面得到应用。
电沉积 银纳米膜 粒径 薄膜性能 electro-deposition silver nanometer film grain size film capability
