1 四川大学 物理科学与技术学院 微电子学系, 成都 610064
2 四川大学 辐射物理及技术教育部重点实验室, 成都 610064
3 四川大学 物理科学与技术学院, 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
在研究0.5 μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时, 发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象, 相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设: 部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照, 导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明: 受到剂量不均匀的辐照后, 多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致, 使各栅极阈值电压不同步漂移, 导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明, 所提出的假设合理地解释了实验中的现象。
多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真 multi-finger NMOS transfer characteristics non-uniform irradiation total dose effects computer simulation 强激光与粒子束
2014, 26(8): 084003
