在研究0.5 μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时, 发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象, 相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设: 部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照, 导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明: 受到剂量不均匀的辐照后, 多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致, 使各栅极阈值电压不同步漂移, 导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明, 所提出的假设合理地解释了实验中的现象。

提出了一类以铁电液晶作光调制层的空间光调制器等效电路模型,对调制器的灰度响应特性进行了动态仿真研究,给出了驱动电压频率100 Hz～1 kHz和写入光强0～10 mW/cm2时调制器的强度转移特性曲线.结果表明,光寻址空间光调制器(OASLM)电光响应的上升时间随写入光强的增加而减少,写入光强由0.5 mW/cm2增加到10 mW/cm2,上升时间从1.44 ms减少为74μs.写入光强存在使输出光强随之(准)线性增加的范围,调制器工作在该范围内即可显示不同灰度;强度转移特性对电压频率十分敏感,调节频率可对调制器的工作范围及灰度区内强度转移特性曲线的斜率等进行控制,频率由100 Hz增加到1 kHz,工作范围由(0.08 mW/cm2,1 mW/cm2)改变为(2 mW/cm2,10 mW/cm2),同时线性段内强度转移特性曲线的斜率减小.另外,虽然擦除光对强度转移特性的影响很弱,但必须注入擦除光以抑制无写入光注入时的光响应和保证在新信息写入前擦除先前的信息.由该模型得到的仿真实验结果在趋势与量级上均与有关文献的实测结果相一致.