1 Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, China
2 Institute of Molecular Aggregation Science, Tianjin University, Tianjin 300072, China
3 Key Laboratory of Resource Chemistry and Eco-Environmental Protection in Qinghai-Tibet Plateau, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qinghai Minzu University, Xining 810007, China
4 Joint School of National University of Singapore and Tianjin University, International Campus of Tianjin University, Fuzhou 350207, China
Frontiers of Optoelectronics
2022, 15(2): s12200
1 宁波大学高等技术研究院红外材料及器件实验室, 宁波 315211
2 华南理工大学材料科学与工程学院, 广州 510640
光电功能纳米晶复合玻璃光纤在光通信、遥感、生物医学和非线性光学等领域具有广阔的应用前景。本文呈现了一种通用的光纤拉制方法(管内熔融法)来制备纳米晶复合玻璃光纤。在光纤制备过程中, 纤芯处于完全熔融状态, 而包层恰好处于软化状态。基于此方法, 介绍了玻璃纤芯-玻璃包层光纤、晶体纤芯-玻璃包层光纤和半导体纤芯-玻璃包层光纤的最新研究进展。此外, 还讨论了纳米晶复合玻璃光纤在光纤激光、光纤传感、频率转换、光电探测和热电转换等领域的广泛应用。
纳米晶复合玻璃光纤 管内熔融法 光电性能 nanocrystals doped glass fibers melt-in-tube method optoelectronic properties
1 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
2 School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
3 School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
Frontiers of Optoelectronics
2021, 14(2): 252–259
1 特种显示技术国家工程实验室, 现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地,合肥工业大学 光电技术研究院, 安徽 合肥 230009
2 安徽省先进功能材料与器件重点实验室, 合肥工业大学 化学与化工学院, 安徽 合肥 230009
3 特种显示技术国家工程实验室, 现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地,合肥工业大学 光电技术研究院, 安徽 合肥 230009,
4 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院, 安徽 合肥 230009
本文探究了单体与液晶的相容性对聚合物墙表面组成的影响和表面组成对聚合物墙液晶器件光电性能的影响及其调控方法。选取与液晶相容性相差较大但表面能相近的单体, 通过表面引发聚合形成与液晶分层的聚合物薄膜, 洗去液晶后用反应离子刻蚀在聚合物表面刻蚀出不同深度。通过衰减全反射红外光谱和X射线光电子能谱仪表征不同深度的组分。最后利用掩模版制备聚合物墙液晶器件, 并探究聚合墙表面组成对其光电性能的影响。实验结果表明: 在聚合物-液晶界面处富集与液晶相容性高的聚合物组分, 并且聚合光强越低, 这种组分偏析效果越明显, 当聚合光强较低时, 聚合物表面组成中的PTFEMA组分占比为68.5%, 比高光强时的多出10.6%。聚合物墙的表面组成对液晶器件的光电性能有一定的影响, 当光强为10 mW/cm2时器件的阈值电压为 0.879 V, 而在70 mW/cm2光强时升高到1172 V。可以利用单体与液晶的相容性差异以及光强调控聚合物墙表面组成, 进而影响液晶器件的光电性能。
表面组成 表面引发 聚合物墙 光电性能 surface composition surface initiation polymer wall optoelectronic properties
近年来, 全无机铯铅卤素钙钛矿(CsPbX3,X=Cl,Br,I)量子点由于其色纯度高、具有可调谐的发射波长(410～760 nm)、窄的半峰宽(12～42 nm)和较高的荧光量子产率(最高可达95%以上)以及可全溶液处理等优势而受到人们的高度关注, 在显示和照明领域有着较为广阔的应用前景。本文首先介绍了近年来发展起来的全无机钙钛矿量子点的液相合成方法, 如高温热注射法、一步反应法、阴离子交换法和过饱和重结晶法等; 其次介绍了全无机钙钛矿量子点的形貌、尺寸和晶型调控及材料组分、反应温度和杂质离子对其发光性能的影响, 进而总结了无铅全无机钙钛矿量子点的研究进展; 然后介绍了全无机钙钛矿量子点在发光二极管方面的应用进展; 最后概述了全无机钙钛矿量子点在未来发展中存在的挑战和机遇。
全无机钙钛矿 量子点 合成方法 光电性能 发光二极管 all-inorganic perovskites quantum dots synthetic methods optoelectronic properties light-emitting diodes
武汉大学 物理科学与技术学院 湖北省核固体物理重点实验室, 武汉 430072
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF2掺杂SnO2(FTO)薄膜。研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明: 升高退火温度可促进FTO薄膜中晶粒逐渐变大, 结晶度变好, 同时薄膜在可见光范围内的透射率随着退火温度升高逐渐增加, 吸收边发生蓝移, 禁带宽度显著变宽, 这是由于载流子浓度增加导致的Moss-Burstein效应。升高温度时, 薄膜电学性能随着退火温度升高有了很大改善, 700 ℃退火处理后得到电阻率低至2.74×10-3 Ω·cm、载流子浓度为2.09×1020 cm-3、迁移率为9.93 cm2·V-1·s-1的FTO薄膜。
透明导电氧化物薄膜 SnF2掺杂SnO2 电子束蒸镀 退火温度 光电性能 transparent conductive oxide thin films SnF2 doped SnO2 electron beam evaporation annealing temperature optoelectronic properties
1 浙江大学硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027
2 浙江大学材料科学与工程学院, 浙江 杭州 310027
3 浙江大学高分子科学与工程学系, 浙江 杭州 310027
4 浙江大学信息科学与电子工程学院, 浙江 杭州 310027
过渡金属硫族化合物(TMD)因其原子层级的厚度和独特的光电性能而受到了广泛的关注和研究。大量文章报道了TMD的可控制备、奇特的光电性能及其在光探测、发光、自旋和能谷电子学等光电子领域的应用。从TMD的材料制备、光电性能及光电应用三个角度对这些工作进行了总结。
材料 过渡金属硫族化合物 制备 光电特性 光探测 发光二极管
太原理工大学 信息工程学院微纳系统研究中心, 教育部新型传感器和智能控制系统重点实验室, 山西 晋中 030600
单层或少数层MoS2是一种具有类石墨烯结构的新型二维层状化合物, 拥有超薄的厚度、适宜的禁带宽度及独特的电学和光学性质, 在场效应管、气体传感器、光探测器、锂电池和超电容等领域有广泛的应用价值。凭借其边缘悬挂键析氢催化活性高、比表面积大、抗光腐蚀性强等优点, 二维MoS2在光催化应用上展现了良好的潜力。介绍了二维MoS2多样的晶体结构, 分析了其能带可调、可见光吸收及催化析氢等特性, 综述了二维MoS2从电催化析氢到光催化析氢的研究进展, 并结合自身研究展望了单层MoS2作为直接光催化剂的潜在优势及其挑战。
二维MoS2 光电性质 能带结构 光催化 2D MoS2 optoelectronic properties energy band structure photocatalytic
1 天津大学化工学院化学工程国家重点实验室, 天津 300072
2 南开大学泰达应用物理学院教育部弱光非线性光子学重点实验室, 天津 300457
3 天津工业大学电子信息与工程学院, 天津 300387
4 天津大学精密仪器与电子工程学院光电子信息技术科学教育部重点实验室, 天津 300072
为了研究纳米晶在溶液中的生长规律，设计并实现了一个能够实时监测纳米晶生长的原位透射光谱系统。利用该系统对PbS纳米线和纳米点在水相中生长过程进行了原位光谱检测，发现十二烷基硫酸钠对PbS 纳米晶的定向生长起了非常重要的作用。
光谱学 原位光谱检测 PbS 纳米晶 光电性质
