作者单位
摘要
北京邮电大学 信息光子学与光通信国家重点实验室,北京 100876
高速光探测器以获得更高的3 dB带宽为目标,减小器件台面面积能够使结电容降低从而提高带宽,但同时也增大了系统中的光耦合损耗。针对该问题,在高速光探测器衬底背面单片集成微透镜结构是一种有效的解决方案,该结构可通过补偿对准偏差来提高器件的光耦合效率。设计了一种面向数据中心应用的,与1.31 μm光探测器芯片单片集成的InP基微透镜结构;通过热熔法制作微透镜胶型,并利用电感耦合等离子体刻蚀实现微透镜胶型转移,电感耦合等离子体刻蚀过程选择SiCl4和Ar作为刻蚀气体以保证实验的安全性;制备了一种直径90.3 μm、冠高18.5 μm、表面形貌光滑的InP基微透镜结构。单片集成微透镜的PIN光探测器在1.31 μm波长处,入射光偏离主光轴3°的情况下,光探测器的响应度仅下降4%。
集成微透镜 光探测 微透镜胶型 热熔法 电感耦合等离子体刻蚀 Integrated microlens Photodetector Microlens photoresist type Melt method Inductive Coupled Plasma etching 
光子学报
2023, 52(8): 0823001
作者单位
摘要
1 中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室,山西 太原 030051
2 中国航天科工集团第六研究院六〇一所,内蒙古 呼和浩特 010010
3 北京大学电子学院,北京 100084
提出一种多相机共光路层析成像方法,对火焰的时空演化特性进行表征。首先,在成像光路结构中利用级联分光棱镜将光能量分配到不同探测通道,在同步控制器驱动下,成像系统能够对瞬态火焰的不同断面同时进行聚焦。其次,建立光学层析系统的空间物像映射关系,基于反卷积算法实现火焰不同断面位置处自发辐射特性的数值解析。实验结果表明,不同相机能够同步独立地获取火焰辐射信息,可实现对动态火焰的高空间分辨率测试。
成像系统 层析重构 光探测 物像映射 动态火焰 高时空分辨率 
光学学报
2023, 43(9): 0911002
作者单位
摘要
1 兰州交通大学 数理学院,甘肃 兰州 730070
2 东华大学 理学院,上海 201620
3 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
制备了金属-碲烯-金属的太赫兹光电探测器,实现了毫米波-太赫兹波下的光探测。结果表明,基于对数天线碲烯的太赫兹光电探测器在零偏压下具有较高的光响应率(40 mA /W,0.12 THz),响应时间为8 μs,噪声等效功率(NEP)为4 pW·Hz-0.5。研究结果为高性能室温太赫兹光探测提供了一种新的发展路径。
二维材料 碲烯 太赫兹光探测 two-dimensional materials tellurene terahertz photodetection 
红外与毫米波学报
2022, 41(4): 721
作者单位
摘要
1 西北工业大学, 辐射探测材料与器件工信部重点实验室, 西安 710072
2 西北工业大学深圳研究院, 深圳 518063
自2004年发现石墨烯以来, 二维材料以其丰富的带隙结构、独特的光电特性和无悬挂键的范德瓦耳斯表面等, 极大地拓宽了半导体电子、光电子器件的设计维度。其中二维硒化铟材料成为最具竞争力的未来高迁移率光电子器件用候选材料, 被诺贝尔奖获得者Andre Geim认为是“硅和石墨烯的‘黄金分割点’”。但人们对二维硒化铟材料的研究仅有不到十年的时间, 对其制备及应用的认识仍然不足。本文综述了二维硒化铟材料及其光电器件的研究现状。另外, 考虑到目前绝大多数二维硒化铟材料的研究是基于块状单晶体材料的机械剥离开始的, 因此本文首先回顾了硒化铟晶体结构的认识及其制备方法的发展历程, 在此基础上综述了二维硒化铟材料制备及其性能表征的前沿研究结果, 探讨了器件结构、材料制备方法等因素对二维硒化铟场效应晶体管和光探测器电学输运特性的影响, 最后分析了未来硒化铟材料及器件应用面临的机遇与挑战。
二维材料 硒化铟 晶体生长 场效应晶体管 光探测 two-dimensional material indium selenide crystal growth field-effect transistor photodetector 
人工晶体学报
2022, 51(9-10): 1703
作者单位
摘要
1 泉州师范学院物理与信息工程学院 福建省先进微纳光子技术与器件重点实验室,福建 泉州 362000
2 泉州师范学院 化工与材料学院,福建 泉州 362000
制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2异质结光探测器。研究发现,SnO2薄膜的引入可以调控(PEA)0.15FA0.85SnI3薄膜的晶体生长过程,有助于获得致密的连续薄膜。在520 nm单色光辐照下,器件的响应度高达3.19×105 A/W,相应的探测率为6.39×1015 Jones。在808 nm单色光辐照下,器件的响应度和探测器率也可分别达到1.70×104 A/W和7.28×1013 Jones。相关性能明显高于(PEA)0.15FA0.85SnI3单层薄膜光探测器。器件性能的提高一方面是由于钙钛矿薄膜表面形貌的改善,提高了器件的吸收效率和载流子收集效率;另一方面是由于(PEA)0.15FA0.85SnI3和SnO2之间形成了p?n结结构,从而有效提高了钙钛矿薄膜中的光生电子?空穴对的分离效率,降低了电子和空穴的复合几率。同时,(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2界面处特殊的能级结构也可诱导器件产生光电导增益。
光探测 Sn基钙钛矿 异质结 2D/3D混合结构 SnO2 photodetector Sn perovskite heterojunction 2D/3D hybrid structure SnO2 
发光学报
2022, 43(7): 1121
作者单位
摘要
清华大学 电子工程系/北京信息科学与技术国家研究中心, 北京 100084
超宽带光电子芯片是下一代无线通信、先进电子信息装备中光纤传输与信号处理的关键元器件, 芯片中光子、电子、电磁场之间的相互作用是决定芯片性能的核心因素。文章通过介绍超宽带光电探测器芯片、电光调制器芯片等方面的研究进展, 分享课题组在破解上述核心科学问题、提高芯片性能的关键技术方案。
光电子芯片 光探测 电光调制器 optoelectronic devices photodetectors optical modulators 
半导体光电
2022, 43(1): 56
作者单位
摘要
吉林大学 仪器科学与电气工程学院,吉林长春130021
为解决弱光环境下月球着陆粗避障环节成像不清晰的问题,提出了“区域”像元合并和去除相机本底值两种图像预处理方法,来提高探测器的成像灵敏度和图像信噪比与对比度。在分析传统像元合并实现原理的基础上,提出了一种针对n_taps成像数据格式的“区域”像元合并方法。根据月球着陆粗避障环节中大尺度障碍识别的特点,通过去除相机本底值来提高图像的对比度。最后,利用宽、窄视场两款相机分别对像元合并、去除相机本底值以及两者结合的方法进行了重复性实验。实验结果表明,在弱光环境下,结合像元合并与去除相机本底值的方法可有效提高图像的信噪比与对比度,2_Binning模式下宽视场相机的信噪比可提高5.901 4 dB、对比度可提高0.254 7,窄视场相机的信噪比可提高5.764 4 dB、对比度可提高0.265 4;4_Binning模式下宽视场相机的信噪比可提高11.689 9 dB、对比度可提高0.210 2,窄视场相机的信噪比可提高11.401 5 dB、对比度可提高0.284 0。
光探测 像元合并 相机本底值 多项式拟合 weak light detection pixel binning camera background value polynomial fitting 
光学 精密工程
2021, 29(11): 2539
王军旗 1,2牛刘敏 1,2柴笑晗 1,2傅月平 3[ ... ]马宗敏 1,2,*
作者单位
摘要
1 中北大学电子测试技术重点实验室, 太原 030051
2 中北大学仪器与电子学院, 太原 030051
3 上海航天电子技术研究所, 上海 201100
本文介绍了我们通过利用两路微波共同作用下来进行NV色心的量子调控, 实验结果出现“烧孔”现象并降低线宽, 与此同时得到直流磁噪声灵敏度。在连续波实验条件下, 两路微波都调谐到NV色心系综基态3A2之间的共振频率, 一路泵浦微波(Pump)设定为给定的频率(ms=0ms=±1), 一路探测微波(Probe)设定为扫频。在本次实验中我们关注的是两个微波场在NV基态之间跃迁相同的情况(ms=0ms=+1)。在这种方法下, 观察到的光谱表现出一个复杂的窄线宽结构, 当探测微波功率一定时, 泵浦微波功率越低, 线宽越窄。当泵浦微波功率不变, 改变微波频率时, 烧孔一直出现在改变的微波频率处, 最后我们对信号进行了调制解调, 由于NV色心系综磁检测的灵敏度与解调曲线的最大斜率成反比, 发现相干布局现象的调制斜率提高了20%, 进一步提高了直流散粒噪声灵敏度。
NV系综 光探测磁共振 量子测量 相干布局振荡 量子调控 NV ensemble optical detection magnetic resonance quantum measurement coherent layout oscillation quantum control 
量子光学学报
2021, 27(1): 81
作者单位
摘要
湖南师范大学物理与电子科学学院, 湖南 长沙 410081
随着科学技术的不断发展,单光子雪崩光电二极管(SPAD)在极弱光探测领域起着不可或缺的作用。但是,在需要同时进行可见光和红外光的应用场景下,单一波峰响应的SPAD往往独木难支,而采用多个单波峰器件又降低了整个系统的集成度。为解决这一问题,设计了一种分别在可见光区和红外光区响应的双波峰SPAD。为确保该器件能实现预期的功能,首先利用半导体工艺器件仿真软件(TCAD)来验证该器件的合理性,再通过搭建外部淬灭电路来测试SPAD的各项性能参数。测试结果显示,该器件的雪崩击穿电压为12.75 V。在22 ℃的室温条件下(过偏压为0.5 V),SPAD的光子探测概率在520 nm处达到32%,在840 nm处达到12%。此外,当过偏压为1 V时,其暗计数率(DCR)为1 kHz。因此,该SPAD能够实现对可见光及近红外光的双波峰探测,并且将DCR控制在一个较低的范围内。
单光子雪崩光电二极管 极弱光探测 雪崩击穿电压 光子探测概率 暗计数率 
光学学报
2021, 41(17): 1704001
作者单位
摘要
清华大学 电子工程系 北京信息科学与技术国家研究中心,北京 100084
超宽带单行载流子(UTC)光电探测器因其仅需快速的电子输运过程,较传统PIN探测器具有明显宽带优势,是6G宽带无线通信、太赫兹成像、超宽带噪声发生器等亚太赫兹频段系统中的核心光电子器件之一。面向亚太赫兹频段光电转换需求,针对UTC探测器中大带宽与高饱和功率之间的矛盾问题,分别研究并突破了光生载流子高速输运机理、感性共面波导器件(CPW)结构等关键技术,研制成功带宽106 GHz、饱和输出功率7.3 dBm的双漂移层结构MUTC探测器芯片,和带宽超过150 GHz的超宽带MUTC探测器芯片。
光探测 单行载流子结构 亚太赫兹 高饱和功率 photodetector uni-traveling carrier structure sub-terahertz high saturation power 
红外与激光工程
2021, 50(7): 20211052

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