采用背向散射偏振配置,对半极性a面(1120)生长的4H-SiC晶体,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各声子振动的偏振拉曼散射光谱,研究了不同声子模式的偏振拉曼散射光的强度变化与性质。利用拉曼选择定则,对实验结果进行拟合分析得到了不同声子模式的拉曼散射矩阵张量元系数及其各向异性特征。研究结果为深入了解4H-SiC晶体的微观结构和各向异性性质提供依据。

通过结合纳米压痕和偏振拉曼散射技术对压应力影响下ZnO单晶晶格出现的变化进行了研究。位错的滑移是导致ZnO单晶中出现多处塑性变形的原因而非相变。之后采用偏振拉曼Mapping成像技术以E2(high)模为对象, 监视其在整个压痕区内的强度变化分布。在压痕区中心累积的应力通过位错的滑移而释放, 同时导致压痕区中心处的晶格畸变程度最为严重。伴随着晶格失配的加剧, 拉曼选择定则放宽, 在Z(XX)配置下较弱的LO得到增强, 原本非拉曼活性的B1(high)模出现。此外, 在Z(XY)偏振下压痕区左侧的拉曼光谱中观察到位于130 cm-1处的拉曼异常振动模。此峰的出现可能与压痕区左侧由刃位错所形成的应力场吸引间隙离子导致的晶格畸变有关。