作者单位
摘要
西安工程大学 理学院, 陕西 西安 710048
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种制备异质结光电探测器的常见方法。在湿法转移制备异质结的过程中,不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。本文以典型的二维材料石墨烯(Gr)为例,采用湿法转移制备了一系列相同的Gr/Si异质结光电探测器,对其制备工艺与伏安特性的关系进行了详细研究。实验结果显示,梯度式烘干工艺可以显著降低Gr/Si异质结器件的暗电流,最佳的烘干温度峰值为170 °C,170 °C 以上漏电流基本不再有变化。Gr/Si范德华异质结表面杂质与夹层中的残留水分对异质结的漏电流有显著影响。 Gr/Si范德华异质结的选择性刻蚀和退火工艺也能够大幅降低漏电流。因此,合适的烘干工艺、选择性刻蚀工艺、退火工艺在Gr/Si异质结器件的制备过程中非常必要。这些结果对于使用湿法转移方法制备二维材料异质结器件具有一定的参考价值。
石墨烯 异质结 制备工艺 伏安特性 烘干 刻蚀 退火 graphene hetero-junction preparation technology voltage-current characteristics drying etching annealing 
中国光学
2023, 16(5): 1149
作者单位
摘要
中国建筑材料科学研究总院有限公司,建材行业特种玻璃制备与加工重点实验室,北京 100024
硫系玻璃具有折射率温度系数低、透过谱段范围宽、光学均匀性好、性能可调和易于加工等优点,被视作新一代温度自适应红外热成像系统用核心元件材料,在红外追踪、红外制导、安防监控、辅助驾驶等多个领域具有广阔的应用前景。为了解决极端服役环境对红外材料的需求,硫系玻璃制备技术研究主要涉及以下三个方面:(1)设计开发大尺寸高纯硫系玻璃的制备方法;(2)进行气氛熔制技术探索研究以解决大尺寸硫系玻璃的工程应用需求;(3)将高能球磨、热压等方式引入到硫系玻璃陶瓷制备上,拓展红外光学材料可选范围,提升硫系玻璃极端环境适应能力。本文基于上述三个方面综述了红外硫系玻璃制备技术的研究进展。
硫系玻璃 熔融淬冷制备技术 透明陶瓷 气氛熔制技术 热压成形 高能球磨技术 chalcogenide glass meltquenching preparation technology transparent ceramics atmosphere melting technology hotpressing forming high energy ball milling technology 
硅酸盐通报
2022, 41(11): 3719
万瑞 1,2杨利青 1霍伟荣 3马园 1,2[ ... ]王鹏飞 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119
2 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049
3 电子科技大学材料与能源学院, 成都 611731
近/中红外激光和超连续光源在红外光电对抗、生物医疗、遥测感知和激光探测及测距(LIDAR)等领域具有十分重要的应用价值。近年来, 基于软玻璃光纤来产生和传输高亮度近/中红外(特别是2~5 μm)激光方面的研究取得了显著进展。在中红外软玻璃基质中, 具有相对较低声子能的碲酸盐玻璃对于设计近红外和中红外激光器和放大器、高功率中红外激光传输和传感应用无源光纤具有特别的吸引力。本文重点总结了低损耗碲酸盐玻璃的关键制备技术, 并综述了碲酸盐玻璃及光纤在稀土掺杂中红外发光方面的研究进展, 最后对碲酸盐玻璃及光纤应用存在的问题和发展趋势进行了总结和展望。
光学玻璃 碲酸盐玻璃与光纤 低羟基制备技术 散射抑制技术 稀土掺杂 中红外激光 optical glass tellurite glass and optical fiber low hydroxyl preparation technology scattering suppression technology rare earth doping mid-infrared laser 
硅酸盐通报
2022, 41(8): 2589
作者单位
摘要
华南理工大学材料科学与工程学院, 广东 广州 510614
OLED显示已经在高端手机和电视领域获得成功应用,其未来的进一步发展得到学界和业界的广泛关注。目前OLED显示主要采用真空半导体技术制备高质量有机薄膜,可是其较低的材料利用率和较高的成本是制约OLED大规模发展的瓶颈。喷墨打印技术有可能突破这一瓶颈,成为未来在柔性显示中发挥其低成本、大面积、绿色制造工艺的优势。到目前为止,采用喷墨打印技术制备OLED显示屏仍然面临材料、薄膜工艺等诸多挑战。主要介绍了采用喷墨打印方法制备高质量有机薄膜和制备全彩色显示屏。
柔性AMOLED显示 喷墨打印制备技术 喷墨打印OLED材料 喷墨打印发光薄膜 flexible AMOLED display ink jet printing preparation technology ink jet printing OLED materials ink jet printing light emitting films 
光学与光电技术
2018, 16(4): 1
作者单位
摘要
解放军理工大学气象海洋学院, 江苏 南京 211101
在分析比较传统光纤探针研制工艺特点的基础上认为其不适用于蓝宝石光纤,因此提出了基于研磨抛光系统的光纤探针制备工艺。介绍了研磨系统的组成及运作方式,阐述了光纤探针制备过程中研磨抛光与固化的主要流程。最后使用光学仿真软件Zemax进行了光纤探针传输效率的仿真测试,仿真结果表明采用940 nm波段光源及“面对面”探头安置方式时光纤探针传输效率最高。可应用于蓝宝石光纤探针传感器系统的搭建。
光纤探针 制备工艺 研磨法 Zemax光学仿真 传光测试 optical fiber probe preparation technology grinding and polishing technology optical simulation made by Zemax light transmitting test 
光学与光电技术
2017, 15(4): 26
作者单位
摘要
北京科技大学材料学院,北京 10083
PbSe薄膜作为一种窄禁带半导体材料,因其具有优异的室温光电敏感性和响应度而被广泛用于制造硒化铅红外探测器。本文归纳和总结了 PbSe薄膜的性能特点、制备工艺、后期处理工艺、理论研究方向以及国内外 PbSe红外探测器的研究现状等内容,并在此基础上,探讨了 PbSe红外探测薄膜材料及器件未来可能的发展方向。
PbSe薄膜 制备工艺 后处理工艺 lead selenide thin film preparation technology post-treatment technology 
红外技术
2016, 38(12): 1005
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
4 中国科学院上海技术物理研究所热敏探测器组,上海 200083
红外地平仪是卫星姿态控制系统的重要设备之一,而热敏电阻红外探头又是 红外地平仪的一个关键部件,其质量会直接影响地平仪的性能和可靠性。随着近代空间技术的 不断发展,下一代红外地平仪对研制高可靠性、长线列的红外热敏探测器的需求日益迫切。近 年来,人们采用化学溶液法在制备锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O或MCN)薄膜材料方面取得了突破。该材料的 致密性远远超过陶瓷体材料,可以为长寿命、高可靠性的热敏器件提供一个很好的解决方案。而MCN 薄膜型探测器的类微电子制备技术也为实现长线列的多元热敏探测器奠定了基础。采用微 电子工艺制作了地平仪用锰钴镍薄膜型红外热敏探测器,并对其中的一些关键工艺(如刻蚀和 退火等)进行了颇有裨益的研究。这些新工艺和新方法对于实现薄膜热敏红外探测器在我国空间观测与遥感技术领 域的工程应用以及提高红外地平仪的可靠性和使用寿命都有着重要意义。
锰钴镍氧 薄膜 热敏探测器 红外地平仪 制备技术 Mn-Co-Ni-O thin film thermistor detector infrared horizon sensor preparation technology 
红外
2015, 36(12): 8
作者单位
摘要
1 西安工业大学 光电工程学院, 陕西 西安 710032
2 南京理工大学 电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
为了使研究者能更详细地了解类金刚石(DLC)薄膜的研究现状, 综述了类金刚石薄膜的特性及应用, 分析对比了目前常用的一些类金刚石薄膜的制备方法, 包括物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD), 并对类金刚石薄膜的抗强激光损伤特性以及提高其激光损伤阈值的方法进行了论述。结果发现, 利用PVD法制备的DLC膜的硬度可以达到40 GPa~80 GPa, 且薄膜的残余应力可以达到0.9 GPa~2.2 GPa之间, 而CVD法则由于反应气体的充入导致类DLC薄膜的沉积速率大大降低, 故使用率不高。同时, 优化膜系的电场强度设计, 采用合理的制备工艺, 进行激光辐照后处理, 施加外界电场干预均可有效地提高DLC薄膜的抗激光损伤能力, 且目前的DLC薄膜的激光损伤阈值可达到2.4 J/cm2。
薄膜 类金刚石 制备工艺 激光损伤 film diamond-like carbon (DLC) preparation technology laser-induced damage 
应用光学
2015, 36(5): 799
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京 210094
针对 SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所 380~510 nm转换波长的闪烁体,分别从 K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极 K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在 380~510 nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在 2.92~3.26 eV,反射式工作范围在 2.43~2.92 eV;针对球形光电倍增管结构,提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和 K1.75CsSb1.25阴极 6点监控制备方法,给出了测试方法。
光电倍增器 光电阴极 第一性原理 能带结构 制备工艺 photomultiplier K2CsSb photocathode first principle band structure preparation technology 
红外技术
2013, 35(8): 455
作者单位
摘要
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏 南京 210094
对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEA GaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了p型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150nm的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEA GaN光电阴极。利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEA GaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEA GaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%。
GaN光电阴极 制备工艺 GaN photocathode NEA NEA Preparation technology 
红外技术
2011, 33(6): 332

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