利用蓝绿激光对非晶态Ge₂Sb₂R₅相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000ns,500ns,100ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且,在1000 ns,500ns,100ns,60 ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光,擦除功率大于4.49 mW以后,薄膜的反射率对比度高于15%,这表明Ge₂Sb₂Te₅相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度.同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2乳5相变薄膜的光谱特性,对比研究了780 nm,650 nm,514 nm和405 nm波长处的反射率和反射率对比度,提出了Ge₂Sb₂R₅相变薄膜用于蓝光光盘的改进方法.

利用直流磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。示差扫描量热(DSC)实验测定的结晶峰温度为193.92 ℃。X射线衍射(XRD)表明未经热处理的沉积态薄膜是非晶态,而经过200 ℃热处理,X射线衍射图出现衍射峰,薄膜从非晶态转变到晶态。同时,研究了晶态和非晶态相变薄膜的吸收率、透射率和反射率随波长的变化。测定了650 nm激光作用下的相变薄膜的记录性能,分析了记录功率、记录脉宽对薄膜反射率衬比度的影响,在同一记录脉宽条件下, 记录功率越大,反射率衬比度也越大;在同一记录功率条件下,随记录脉宽的增加,反射率衬比度也增大。结果表明,新型AgInSbTe相变薄膜在激光作用下具有较高的反射率衬比度,可获得良好的记录性能。

用反射率对比度来衡量晶化程度,分别探讨了脉宽为500 ns,100 ns,60 ns的蓝绿激光(514 nm)作用下沉积态Ag11In12Sb51Te26相变薄膜的晶化性能,表明Ag11In12Sb51Te26相变薄膜在蓝绿激光下可具有较高的晶化速度。对比分析了热致晶化后的Ag11In12Sb51Te26薄膜在514 nm处的反射率对比度,结果表明激光晶化和热致晶化后薄膜的反射率对比度有明显差别,分别为8%和19.2%。

利用多层膜反射率的矩阵法计算了GeSbTe超分辨相变光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配.

Ge2Sb2Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大.研究表明,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大,而转速较高时随功率增加而减小;反射率对比度基本随转速增加而减小,不同波长处的反射率对比度相差比较大;载噪比随初始化功率和转速的增加都是先增大后减小;最佳初始化条件为:功率为1100～1300 mW,转速为3.0～4.2m/s.

研究了单层GeSb2Te4真空射频溅射薄膜在400~830 nm区域的吸收、反射光谱和光学常数(n,k),发现GeSb2Te4薄膜在400~600 nm波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了GeSb2Te4薄膜的光存储记录特性,发现在514.5nm波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大,擦除前后的反射率对比度较低,可通过膜层设计来提高。