1 中国科学院微电子研究所，北京 100029
2 中国科学院大学集成电路学院，北京 100049
当今世界离不开信息产业，信息产业离不开半导体集成电路芯片制造技术，即微电子技术。集成电路芯片制造工艺中最关键的就是光刻技术。光刻技术开始于1958年美国德克萨斯公司试制的世界上第一块平面集成电路，在短短的60年中，光刻分辨率极限一次又一次被突破，创造了人间奇迹。作为微电子技术工艺基础的光刻技术与微/纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。光刻加工尺寸从百微米到10 nm，加工手段从钢板尺手术刀照相机到电子束光刻，光源波长从光学曝光到极紫外曝光。集成度提高了约百亿倍，特征尺寸线宽缩小到原来的约1/10000。随着纳米集成电路迅猛发展，光刻技术也从等效摩尔时代进入后摩尔时代。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922031
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室， 上海 201800
2 中国科学院大学， 北京 100049
提出了一种基于多染色体遗传算法(GA)的像素化光源掩模优化(SMO)方法。该方法使用多染色体遗传算法，实现了像素化光源和像素化掩模的联合优化。与采用矩形掩模优化的单染色体GASMO方法相比，多染色体GASMO方法具有更高的优化自由度，可以获得更优的光刻成像质量和更快的优化收敛速度。典型逻辑图形的仿真实验表明，多染色体方法得到的最优光源和最优掩模的适应度值比单染色体方法小7.6%，提高了光刻成像质量。仿真实验还表明，多染色体方法仅需132代进化即可得到适应度值为5200的最优解，比单染色体方法少127代，加快了优化收敛速度。
成像系统 光学制造 光刻 光源掩模优化 分辨率增强技术 遗传算法 多染色体
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
提出了一种基于动态适应度函数的光刻机光源掩模优化方法(SMO)。动态适应度函数方法在遗传算法优化过程中采用动态适应度函数模拟真实光刻工艺条件误差对光刻结果的影响，得到对光刻工艺条件误差不敏感的优化光源和优化掩模。该方法无需优化权重系数，即可获得与权重优化后的加权适应度函数方法相近的工艺宽容度。典型逻辑图形的仿真实验表明，曝光剂量误差为15%时，动态适应度函数方法得到的优化光源和优化掩模的可用焦深达到200 nm，与加权适应度函数方法的优化效果相当。动态适应度函数方法也可用于降低SMO 的优化光源和掩模对其他工艺条件误差如彗差的敏感度。
光学设计 光刻 光源掩模优化 分辨率增强技术 遗传算法 适应度函数
1 中国科学院电工研究所, 北京 100083
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口, 实现65～32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响,研究这两种技术的物理光学本质,由此进一步优化光学成像系统设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明,分辨力增强技术通过调整像场频谱分布,改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形,离轴照明和相移掩模结合后可以使成像衬比度最高达到0.948,工艺窗口在5%曝光范围内焦深达到0.51 μm。
成像系统 光学光刻 分辨力增强技术 频谱分析
