1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
CdZnTe晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测新材料,针对该材料制作的探测器设计了一种脉冲整形电路。将Sallen-Key滤波器应用于核脉冲的整形中,采用高速运算放大器来设计和实现了整形电路,用较少的级数就可得到准高斯波形的输出。研究了整形电路的工作原理,测定了电路的各项技术指标。通过OrCAD仿真测试,当脉宽大于1 μs时,反冲较明显,当脉宽不大于1 μs时,几乎没有反冲。采用辐射源241 Am,得到峰值为60 keV的能谱图,能量分辨率为9.2%。
Sallen-Key滤波器 整形放大 能谱 CdZnTe CdZnTe Sallen-Key filter shape amplify energy spectra
