作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
使用同一块CdZnTe晶体设计制作了像素大小不等的4×4公共格栅像素CdZnTe探测器.通过能谱测定实验及权重势和电场仿真,研究了公共格栅像素CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应.结果表明:由于小像素效应较弱,较大的像素不能有效消除“空穴拖尾”,能谱特性较差;由于晶体内部以及像素和公共格栅间隙表层的电荷损失,较小的像素能谱特性也较差.在像素宽度为0.8 mm时,得到了对662 keV的137Cs放射源的最佳能量分辨率3.80%和峰谷比5.65.适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运动,促进电荷的完全收集,改善探测器的能谱特性.过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增加,探测器的能谱特性也会恶化.在像素宽度为0.8 mm时最佳偏压为-60 V.
半导体探测器 公共格栅像素结构 小像素效应 能量分辨率 CdZnTe CdZnTe semiconductor detector common-grid pixelated structure small pixel effect energy resolution 
强激光与粒子束
2015, 27(7): 076001
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400030
2 重庆工商职业学院, 重庆 合川 401520
3 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
碲锌镉材料(CdZnTe)是目前探测X射线和γ射线的最好材料之一。将241Am和137Cs辐射源作用于像素CdZnTe探测器,通过实验和仿真分别得到能量谱估计、能量分辨率和峰值效率。由实验和仿真结果得出:在662 keV的高能量下,厚度较大的CdZnTe探测器可获得更高的能量分辨率和峰值效率,但在59.5 keV低能处会出现拖尾升高和电荷损失的现象;厚度较薄的探测器在低能处的特性反而更好。
碲锌镉 探测器 能量谱 能量分辨率 峰值效率 cadmium zinc telluride detectors energy spectrum energy resolution photopeak efficiency 
强激光与粒子束
2014, 26(3): 034001
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
采用双向辐照的方法研究了碲锌镉晶体中的深度极化效应, 实验结果表明, 深度极化效应与直接辐照的X射线剂量无关。通过对晶体内电场分布的模拟, 进一步分析了深度极化的形成机制, 认为深度极化效应与极化效应一样, 都是由于高浓度的堆积电荷使得晶体内电势畸变从而阳极不能收集信号, 但它与通常极化效应有所不同, 造成这种极化的高浓度空间电荷是从更高浓度的空间电荷区扩散而来的, 发生深度极化的区域本身并没有受到X射线的强烈辐照。
X射线探测器 CdZnTe探测器 高剂量X射线 极化效应 X-ray detector CdZnTe detector high flux X-ray polarization effect 
强激光与粒子束
2013, 25(3): 773
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
考虑载流子陷获效应建立了碲锌镉(CdZnTe)像素阵列探测器感应电荷分布模型,并从非平衡载流子连续方程出发,推导了晶体内部陷获载流子数密度分布,得到了CdZnTe探测器成像调制传递函数评价模型。数值计算结果表明:随入射光子能量的增加,探测器成像质量明显下降;当电子载流子与空穴载流子迁移寿命积范围分别为0.5×10-3~5.0×10-3 cm2/V,2.0×10-5~7.5×10-5 cm2/V时,电子载流子感应信号是探测器响应信号的主要来源,而空穴迁移寿命积变化对探测器成像性能的影响有限,所建立模型的载流子收集特性与实际探测器载流子收集特性相符。搭建了40 mm×40 mm的CdZnTe成像探测系统,探测并获得了系统预采样调制传递函数。实验结果表明: 模型理论值与实验数据相符合,实际CdZnTe晶体中存在的固有深能级缺陷、实验所采用的非单色性X射线源及较大的实际像素间隙是造成理论值与实验结果存在一定偏差的主要原因。
碲锌镉 半导体探测器 辐射成像探测 评价函数 CdZnTe semiconductor detector radiation imaging detection evaluation function 
强激光与粒子束
2011, 23(12): 3405
作者单位
摘要
1 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 贵州省地质学校, 贵阳 551400
3 中国工程物理研究院电子工程研究所, 四川绵阳 621900
粗糙表面散射可分为镜向散射和非镜向散射, 镜向散射光强的分析不仅具有理论上的简洁性, 而且能够给出粗糙表面散射的一些重要特性。论文根据相干散射和傅里叶光学理论, 对粗糙表面的镜向散射光场进行了理论分析和推导, 结果表明: 镜向散射光场的主要特征由粗糙表面高度分布的傅里叶变换和入射光场的傅里叶变换共同决定。对于均匀平行光照射高斯表面情形, 镜向散射光强是有效粗糙度的高斯函数, 镜向散射光强在焦平面的分布为 sinc平方函数。
粗糙表面 镜向散射 粗糙度 散斑 散射 rough surface reflective scattering roughness speckle scattering 
光电工程
2011, 38(12): 48
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621900
碲锌镉(CdZnTe)晶体是一种新型核辐射探测材料,在室温探测环境下对X射线及低能量伽玛射线具有较高的探测效率及能量分辨率。运用低噪声快速前放模块,分析晶体内部性能以及前置放大器对探测系统噪声的影响,建立了2×2碲锌镉像素阵列探测系统。实验结果表明,探测系统输出信号噪声小、脉冲无堆积,读出电路电子学噪声得到明显抑制,能谱低能拖尾减少,电荷收集不完全噪声及漏电流噪声影响得到改善,同时对整个系统以及前置放大器进行了噪声分析并提出相关的改善方式,最后得到系统测试的结果。
噪声 前置放大器 碲锌镉 noise preamplifier CdZnTe 
光电子技术
2011, 31(2): 98
Author Affiliations
Abstract
1 Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Systems, Ministry of Education, Chongqing University, Chongqing 400030, China
2 Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China
The intensifying process of polarization effect at room temperature in a pixellated Cadmium zinc telluride (CdZnTe) monolithic detector is studied. The process is attributed to the increase in build up space charges in the CdZnTe crystal, which causes an expansion of the space charge region under the irradiated area. The simulations of electric potential distributions indicate that the distorted electric potential due to the high X-ray flux is significantly changed and even deteriorated due to increasing space charges within the irradiated volume. An agreement between the space charge distribution and electric potential is discussed.
高通量X射线 空间电荷 极化效应 CdZnTe探测器 040.1880 Detection 160.6000 Semiconductor materials 230.0040 Detectors 340.7440 X-ray imaging 
Chinese Optics Letters
2011, 9(7): 070401
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
采用新型室温碲锌镉(CdZnTe)辐射探测器, 通过厚针孔系统对137Cs高能662 keV伽玛射线辐射源进行成像探测, 得到了能谱图和放射源图像。计算分析了高能射线穿透效应对空间分辨力的影响, 并对不同偏压下得到的图像进行比较与讨论。实验表明, 当放大倍率不大时(小于3), 高能射线对准直器材料的穿透效应增大是限制图像空间分辨力的主要因素, 探测器像素尺寸的大小对图像空间分辨力的影响并不明显。随偏置电压升高,探测器得到的图像会得到改善, 但过大的偏压(大于1 000 V)会使晶体内部的电场不均匀性增大, 降低信噪比从而降低图像品质。
碲锌镉换测器 伽玛射线 高能辐射 针孔成像 空间分辨力 CdZnTe detector gamma ray high energy radiation pinhole image spatial resolution 
强激光与粒子束
2010, 22(10): 2448
黎淼 1,2,*肖沙里 1,2张流强 1,2曹玉琳 1,2[ ... ]王玺 1,2
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
根据高能射线针孔成像理论,采用CdZnTe像素阵列探测器建立了直接成像探测模式的伽玛源针孔探测系统。测试分析了CdZnTe像素阵列探测器的能量分辨力及峰值效率,讨论研究了针孔成像探测系统的调制传递函数和附加噪声特性,测试获得直径5 mm137Cs源的探测图像,采用Lucy-Richardson迭代算法得到了137Cs源的复原图像。实验结果表明:CdZnTe探测器对662 keV 137Cs源的能量分辨力为6.25%~7.50%,峰值效率65.0%~72.5%;成像系统探测图像存在一定扩散现象,所采用的Lucy-Richardson迭代复原算法能较好地修正图像扩散,提高探测图像中心区域细节分辨力;估算所得137Cs源尺寸误差约0.5 mm,所建立的CdZnTe针孔成像探测系统能有效得到小尺寸伽玛源的辐照强度分布及尺寸信息。
辐射成像探测 半导体探测器 针孔成像 峰值效率 radiation imaging detection semiconductor detector CdZnTe CdZnTe pinhole imaging peak efficiency 
强激光与粒子束
2010, 22(9): 2165
作者单位
摘要
1 重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400030
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
CdZnTe晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测新材料,针对该材料制作的探测器设计了一种脉冲整形电路。将Sallen-Key滤波器应用于核脉冲的整形中,采用高速运算放大器来设计和实现了整形电路,用较少的级数就可得到准高斯波形的输出。研究了整形电路的工作原理,测定了电路的各项技术指标。通过OrCAD仿真测试,当脉宽大于1 μs时,反冲较明显,当脉宽不大于1 μs时,几乎没有反冲。采用辐射源241 Am,得到峰值为60 keV的能谱图,能量分辨率为9.2%。
Sallen-Key滤波器 整形放大 能谱 CdZnTe CdZnTe Sallen-Key filter shape amplify energy spectra 
光电子技术
2010, 30(1): 64

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