结合半导体能带理论以及电荷传递理论，阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理；在电化学腐蚀 MCP以 n-型(100)摘晶向单晶硅为研究对象，设计实验，找出硅片中载流子的最佳激发波长为 850 nm，以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴，以微通道板几何结构建立模型，模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况，发现载流子在尖端聚集，侧壁被钝化保护，使通道沿尖端方向生长，从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析。
硅 MCP阵列 光生空穴 输运特性 电化学刻蚀 silicon MCP array photon generated positive hole transportation characteristic electrochemical corrosion
