北京应用物理与计算数学研究所, 北京 100094
相较于传统的惯性约束聚变及磁约束聚变,磁化靶聚变技术可能是一种实现纯聚变更低廉更有效的途径。针对中国工程物理研究院流体物理研究所设计的“荧光-1”实验装置,利用二维磁流体力学模拟程序MPF-2D,从理论上详细分析了各实验输入参数(如初始磁场、初始密度、主磁场等)对该装置上反场构形性质的影响。为即将进行的实验推荐了三组实验输入参数: 初始磁场0.3 T,初始密度7×1015 cm-3,磁镜场-2.0~-1.0 T,主磁场-4.0~-3.0 T。
磁化靶聚变 反场构形 二维磁流体力学 magnetized target fusion field reversed configuration two-dimensional magneto-hydrodynamic 强激光与粒子束
2015, 27(4): 045006
1 中国科学院光电技术研究所, 四川 成都 610209
2 电子科技大学光电信息学院, 四川 成都 610054
3 中国科学院大学, 北京 100049
为提高摄像机的标定精度,必须研究高精度的特征点提取方法。针对三种比较典型的标定图样:棋盘格,二维正弦条纹和高斯点阵,分析比较了相应的提取特征点算法和用于摄像机内参数标定的精度,得出基于傅里叶相位分析法的二维正弦条纹的特征点提取精度最高。并针对傅里叶方法处理二维正弦条纹不能准确提取边缘特征点的缺陷,提出了使用相移法提取正交相位以代替傅里叶方法得出正交相位的新方法。这种方法可以消除傅里叶变换滤波对点阵边缘的模糊作用,扩大了二维正弦条纹在摄像机标定中的适用范围。摄像机外参数标定实验表明该方法在处理包含边缘点的点阵时,重投影误差保持在原有水平,证明了其有效性。
机器视觉 特征点提取 相位提取 二维正弦条纹 棋盘格 高斯点阵
结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀 MCP以 n-型(100)摘晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为 850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,以微通道板几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长,从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析。
硅 MCP阵列 光生空穴 输运特性 电化学刻蚀 silicon MCP array photon generated positive hole transportation characteristic electrochemical corrosion