作者单位
摘要
中国工程物理研究院 机械制造工艺研究所,四川绵阳621999
作为测量的精度来源,双波长干涉显微镜的光波长需要精确标定以溯源至长度基准。本文提出了一种基于两个光波长之间关系、波长与长度基准之间约束的标定方法。理论分析得到了表面重构误差与波长误差之间的关系,认为表面跳变与高度对两个光波长具有足够的约束自由度,并基于理论分析提出了一种双约束的标定方法。该方法通过测量斜平面与标准高度台阶,分别约束了两个光波长之间的比例关系与算术关系,然后通过求解两个约束关系能够确定光波长。仿真结果表明,双约束标定波长的精度可达到0.1 nm。经过本文方法标定的双波长干涉显微镜,测量微沟槽深度的精度可达到0.5 nm。本文标定方法仅需一块标准高度台阶,为干涉显微镜提供了一种简单的高精度波长标定方法,并可以推广应用于双波长数字全息、三波长干涉等技术。
精密测量 干涉显微镜 双波长干涉 波长标定 precision measurement interference microscope dual-wavelength interferometry wavelength calibration 
光学 精密工程
2021, 29(4): 656
作者单位
摘要
北京应用物理与计算数学研究所, 北京 100094
相较于传统的惯性约束聚变及磁约束聚变,磁化靶聚变技术可能是一种实现纯聚变更低廉更有效的途径。针对中国工程物理研究院流体物理研究所设计的“荧光-1”实验装置,利用二维磁流体力学模拟程序MPF-2D,从理论上详细分析了各实验输入参数(如初始磁场、初始密度、主磁场等)对该装置上反场构形性质的影响。为即将进行的实验推荐了三组实验输入参数: 初始磁场0.3 T,初始密度7×1015 cm-3,磁镜场-2.0~-1.0 T,主磁场-4.0~-3.0 T。
磁化靶聚变 反场构形 二维磁流体力学 magnetized target fusion field reversed configuration two-dimensional magneto-hydrodynamic 
强激光与粒子束
2015, 27(4): 045006
作者单位
摘要
1 中国科学院光电技术研究所, 四川 成都 610209
2 电子科技大学光电信息学院, 四川 成都 610054
3 中国科学院大学, 北京 100049
为提高摄像机的标定精度,必须研究高精度的特征点提取方法。针对三种比较典型的标定图样:棋盘格,二维正弦条纹和高斯点阵,分析比较了相应的提取特征点算法和用于摄像机内参数标定的精度,得出基于傅里叶相位分析法的二维正弦条纹的特征点提取精度最高。并针对傅里叶方法处理二维正弦条纹不能准确提取边缘特征点的缺陷,提出了使用相移法提取正交相位以代替傅里叶方法得出正交相位的新方法。这种方法可以消除傅里叶变换滤波对点阵边缘的模糊作用,扩大了二维正弦条纹在摄像机标定中的适用范围。摄像机外参数标定实验表明该方法在处理包含边缘点的点阵时,重投影误差保持在原有水平,证明了其有效性。
机器视觉 特征点提取 相位提取 二维正弦条纹 棋盘格 高斯点阵 
光学学报
2014, 34(5): 0515002
作者单位
摘要
长春理工大学, 吉林 长春 130012
结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀 MCP以 n-型(100)摘晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为 850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,以微通道板几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长,从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析。
硅 MCP阵列 光生空穴 输运特性 电化学刻蚀 silicon MCP array photon generated positive hole transportation characteristic electrochemical corrosion 
光电技术应用
2012, 27(2): 38

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