1 长春理工大学 物理学院， 纳米光子学与生物光子学吉林省重点实验室， 吉林 长春 130022
2 佐治亚南方大学 物理与天文系， 美国佐治亚州 斯泰茨伯勒 30460
1-（3-二甲氨基丙基）-3-乙基碳二亚胺盐酸盐（EDC）作为一种水溶性交联剂，目前广泛应用于纳米材料研究中。然而，其对石墨烯量子点（GQDs）的光学性质影响很少被关注。本工作以羧基化石墨烯量子点（C-GQDs）为对象，研究EDC交联剂对C-GQDs光学性质的影响，改善了C-GQDs的荧光强度。实验中采用一步水相法得到C-GQDs与EDC复合物（C-GQDs/EDC）。实验结果表明，与EDC反应后，C-GQDs荧光显著增强约23倍。此外，也验证了溶液浓度、光辐照和反应时间等因素对荧光的影响。分析表明，C-GQDs的发光是本征态、表面态和缺陷态能级跃迁的多过程作用结果，而原C-GQDs中丰富的缺陷能级导致了发光性能的减弱。机理分析认为，EDC与羧基间发生的活化反应起到了表面缺陷钝化作用，提高了C-GQDs的表面态激子复合效率。该工作有效改善了C-GQDs发光强度低的问题，扩展了其在发光领域的应用前景，并为GQDs光学性质调控提供了参考方案。
石墨烯量子点 荧光 交联剂 表面态 graphene quantum dots fluorescence crosslinking agent surface states
苏州大学 电子信息学院, 江苏 苏州 215006
设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器，并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明，石墨烯/氮化硅/硅（金属-绝缘层-半导体）电容器对器件的I-V及C-V特性有较大影响.在808 nm近红外光的照射下，器件反向电流和正向电流大小接近，归因于氮化硅/硅界面堆积的光生空穴向石墨烯/硅肖特基结的扩散，器件光响应度为0.26 A/W.基于热发射模型从I-V暗电流曲线提取的肖特基势垒高度及理想因子分别为0.859 eV和2.3.利用肖特基二极管耗尽层电容公式从C-2-V曲线提取的势垒高度随着频率的增加而增加并趋于稳定在0.82 eV.由于界面态的影响，石墨烯/硅肖特基结耗尽层宽度随频率增加而增加，而硅施主原子的掺杂浓度及器件电容则随频率增加而减小.
石墨烯 光电探测器 能带分析 MIS电容器 肖特基势垒高度 界面态 Graphene Photodetector Energy band analysis MIS capacitor Schottky barrier height Surface states 光子学报
2019, 48(12): 1248004
1 上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
针对 InAs纳米线表面氧化造成的发光效率低的问题,采用十八硫醇和硫化铵钝化了由化学气相沉积设备生长的闪锌矿结构的 InAs纳米线。对硫化物钝化前后的 InAs纳米线进行温度依赖的光致发光光谱测试。实验结果表明,十八硫醇和硫化铵钝化的 InAs纳米线在 25 K温度下的发光效率与未钝化的 InAs纳米线相比分别提高了 ~6倍和 ~7倍,此外,可以在室温下探测到硫化铵钝化的 InAs纳米线的光致发光,这为未来基于 InAs纳米线的中红外纳米光子器件提供了可能性。
砷化铟纳米线 硫化物 表面态 光致发光 InAs nanowires sulfide surface states photoluminescence
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明：随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位于可见区的缺陷发光得到了抑制。通过10 K下发光谱的对比, 分析了等离子体作用的机理。当处理时间较短时, Ar+等离子体可以有效除去ZnO纳米线表面的杂质和缺陷, 提高其紫外发光强度; 而处理时间较长时, 将引入更多的深施主态缺陷, 破坏其晶体结构, 从而降低其发光性能。
材料 光致发光增强 Ar+等离子体处理 ZnO纳米线 表面态 中国激光
2018, 45(10): 1003002
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春130012
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(SiNx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。
铟镓锌氧薄膜晶体管 三氧化二铝 氮化硅 最大缺陷态密度 IGZO thin film transistors Al2O3 SiNx the maximum density of surface states
华南师范大学 物理与电信工程学院，广州 510006
利用谐振腔模型，研究了单负超材料构造的多层结构中的表面态的物理机制。发现当满足谐振条件时，在多层结构中将产生表面态，该谐振条件取决于谐振腔内的相位变化。基于上述理论，以单负超材料构造的6层结构为例，分析了该结构的表面态的产生条件和分布情况。该研究为设计含奇特电磁局域特性和隧穿特性的超材料设备提供了有效的途径。
超材料 多层结构 反射相位 表面态 metamaterials multilayered structure reflection phase surface states
1 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
2 College of Chemistry, Jilin University, Changchun 130023, China
Frontiers of Optoelectronics
2011, 4(1): 65
1 中山大学理工学院, 光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
2 华南理工大学材料科学与工程学院, 广东 广州 510641
室温下获得了均匀沉积法制备的纳米ZnO颗粒在低能量2.33 eV 光子(532 nm)的准连续皮秒脉冲激发下的频谱范围从550～1 000 nm的时间分辨光谱和时间积分光谱。 随着样品粒径的增加, 发光带谱带峰值出现规律性的红移。 通过高斯拟合对光谱结构解迭发现, 这种规律性的红移是由于低能端区域的高斯组分的相对比例增加所致。 时间分辨光谱中超快发射的荧光衰减寿命(皮秒量级)也出现随着样品粒径的增大而相应变长。 源于材料尺寸、 纳米颗粒大的比表面积所引起的表面能级可以较好的解释此范围的超快发射特性。
纳米ZnO颗粒 时间分辨光谱 表面态 ZnO nanoparticles Time-resolved photoluminescence Surface states 光谱学与光谱分析
2009, 29(5): 1160
报道了金-多孔硅的稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。
金 多孔硅 光致发光 红外光谱 表面态
Department of Applied Physics, Huaqiao University, Quanzbou 362011, China
Chinese Journal of Lasers B
1994, 3(6): 557
