1 南京工程学院 数理学院，江苏 南京 211167
2 南京航空航天大学 物理学院，江苏 南京 211106
基于半导体低维微纳结构构筑的可见光发光器件，特别是位于500 ~ 600 nm波段的黄绿光光源，因具有较高的发光效率、长寿命和低功耗等特点，在超高分辨率显示与照明、单分子传感和成像等领域有着广泛的应用价值。由于高性能低维黄绿色发光器件在发光材料制备、器件结构以及发光器件的 “Green/yellow gap”和 “Efficiency droop”等方面受到严重限制，极大地影响了低维微纳结构黄绿光发光器件的开发和应用。本文采用单根镓掺杂氧化锌（ZnO∶Ga）微米线和p型InGaN衬底构筑了异质结基黄光发光二极管，其输出波长位于580 nm附近，半峰宽大约为50 nm。随注入电流的增加，光谱的峰位和半峰宽几乎没有任何变化，也没有观察到InGaN基光源中常见的量子斯塔克效应。器件相应的色坐标始终处于黄光色域范围。更为重要的是，器件的外量子效率在大电流注入下并没有出现较大的下降。结合单根ZnO∶Ga微米线和InGaN的光致发光光谱，以及n‐ZnO∶Ga/p‐InGaN异质结能带结构理论，可以推断该制备器件的发光来自于ZnO∶Ga微米线和InGaN结区界面处载流子的辐射复合，器件的Droop效应得到明显抑制。实验结果表明，n‐ZnO∶Ga微米线/p‐InGaN异质结可用于制备高性能、高亮度的低维黄光发光二极管。
黄光发光二极管 镓掺杂氧化锌微米线 铟镓氮 外量子效率 Droop效应 yellow light-emitting diode Ga-doped ZnO microwire InGaN external quantum efficiency Droop effect
武汉大学 动力与机械学院, 湖北 武汉 430072
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率。系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能, 揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制。分别采用透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、变温光致发光谱和电致发光谱对黄光LED进行表征分析。结果发现, 复合成核层能够诱导产生堆垛层错, 可以有效降低外延层中的位错密度和残余应力。在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED外延层中的位错密度分别为5.04×108 cm-2和3.98×108 cm-2, 压应力分别为482.71 MPa和266.38 MPa。通过变温光致发光谱计算得到在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED的内量子效率（室温295 K）分别为12.5%和29.8%。
黄光发光二极管 成核层 内量子效率 堆垛层错 压电极化 yellow light-emitting diodes nucleation layers internal quantum efficiency stacking faults piezoelectric polarization
驻马店职业技术学院信息工程系, 河南驻马店 463000
通过车联网 (VANETs)协同控制车速和交通灯是智能交通系统的核心技术一。提出基于VANETs交通灯的车速控制优化(VSCO)方案, 通过 VANETs对交通信号灯进行时间优化, 并对行驶经过交通信号灯的车辆进行规划, 进而降低交叉口黄灯困境 (YLD)相关的事故, 减少 CO2排放以及车辆的等待时间。实验数据表明, 相比于传统的固定时间交通灯机制, VSCO方案减少了车辆等待时间和燃油排放。
组合车联网 交通灯 黄灯困境 车速控制 Vehicular Ad Hoc Networks traffic light Yellow -Light Dilemma vehicle speed controlling fuel cost 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(4): 713
南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330047
研究了InGaN/GaN超晶格准备层的生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电特性和老化性能的影响。研究发现准备层生长温度较高的样品外量子效率高于准备层生长温度较低的样品。500 mA电流下老化1 000 h后, 准备层生长温度较高的样品的光衰相对更大。老化前后100 K的电致发光光谱显示高温生长的样品老化后的空穴注入途径发生变化; 老化后光衰大的样品非辐射复合中心增加的程度更大。荧光显微镜观察到两个样品老化前均出现大量暗斑, 高温样品的颜色更深更黑, 低温样品颜色则相对较浅且呈红色。老化后高温样品的暗斑数量有所增加, 而低温样品数量变化不大, 这可能也是导致超晶格温度高的样品光衰更大的原因之一。
硅衬底 黄光LED 可靠性 Si substrate yellow light-emitting diode reliability
1 沈阳师范大学 化学与化工学院, 辽宁 沈阳110034
2 中国科学院长春应用化学研究所 稀土资源利用国家重点实验室, 吉林 长春130022
通过高温固相法合成了一系列Ba3Y4-xO9∶xDy3+荧光粉材料。利用X射线粉末衍射、荧光光谱和荧光寿命对样品进行了表征。实验表明，样品的激发光谱由一系列线状峰组成，峰值分别位于328，355，368，386，427，456，471 nm。在355 nm激发下，荧光粉在490 nm(4F9/2→6H15/2)和580 nm(4F9/2→6H13/2)处有很强的发射，发射光谱的色坐标位于黄光区域。研究了不同Dy3+掺杂浓度对样品发光性质的影响，发现样品的发光随着Dy3+浓度的增大而增强，但光谱形状基本保持不变，表明Dy3+占据了基质中低对称性的Y3+格位。当Dy3+摩尔分数x=0.08时出现发光强度猝灭现象,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。样品的发光寿命随着Dy3+浓度的增大逐渐减小，进一步证明了Dy3+离子之间存在着能量传递现象。Ba3Y4O9∶Dy3+荧光粉的发光位于黄光区域，有较好的热稳定性，是潜在的白光LED用荧光粉材料。
黄光 荧光材料 光谱性质 Ba3Y4O9 Ba3Y4O9 yellow light fluorescent material optical properties
中国工程物理研究院 应用电子学研究所， 四川 绵阳 621900
报道了一台800 Hz，6.2 W外腔和频的589 nm黄光激光器。基频激光器均采用双棒串接平平对称腔，增益介质为Nd：YAG晶体，采用声光调Q方式分别获得11.1 W的1 064 nm激光和12.6 W的1 319 nm激光。和频晶体采用三硼酸锂(LBO)，尺寸为4 mm×4 mm×30 mm，采用Ⅰ类非临界相位匹配。将两束激光通过分光镜合束，聚集后注入LBO晶体，获得589 nm黄光最大输出功率为6.2 W，脉宽为50 ns，和频效率26.2%。x方向和y方向的光束质量平方因子分别为3.20和3.61。
激光器 黄光 三硼酸锂 和频 光束质量 laser yellow light lithium triborate crystal sum-frequency beam quality factor
